[实用新型]晶圆承载装置及刻蚀设备

说明书

本实用新型实施例提供了一种晶圆承载装置及刻蚀设备，其中所述晶圆承载装置包括：吸盘，设置在刻蚀设备中，利用所述刻蚀设备对待刻蚀晶圆进行刻蚀时，所述待刻蚀晶圆固定在所述吸盘上；转向子装置，位于所述吸盘的下方，用于在待刻蚀晶圆被刻蚀的过程中，通过转动所述吸盘，至少带动所述待刻蚀晶圆沿着所述待刻蚀晶圆所在圆的圆心转动。如此，待刻蚀晶圆设置在本实用新型实施例的晶圆承载装置上执行干法刻蚀工艺处理时，能够改善刻蚀速率在晶圆表面分布不均匀的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆承载装置及刻蚀设备。

背景技术

在半导体的制造过程中，一般利用刻蚀工艺从晶圆表面去除不需要的部分。刻蚀工艺主要包括干法刻蚀和湿法刻蚀，其中，干法刻蚀由于不需要化学试剂，处理方便而优势凸显。

然而，相关技术中，待刻蚀晶圆设置在晶圆承载装置上执行干法刻蚀工艺处理的过程中，存在晶圆表面刻蚀速率分布不均匀的问题。

实用新型内容

为解决相关技术问题，本实用新型实施例提出一种晶圆承载装置及刻蚀设备，能够改善刻蚀速率在晶圆表面分布不均匀的问题。

本实用新型实施例提供了一种晶圆承载装置，包括：

吸盘，设置在刻蚀设备中，利用所述刻蚀设备对待刻蚀晶圆进行刻蚀时，所述待刻蚀晶圆固定在所述吸盘上；

转向子装置，位于所述吸盘的下方，用于在待刻蚀晶圆被刻蚀的过程中，通过转动所述吸盘，至少带动所述待刻蚀晶圆沿着所述待刻蚀晶圆所在圆的圆心转动。

上述方案中，所述转向子装置包含：动力输出部件和动力传递部件；其中，

所述动力输出部件，用于向动力传递部件输出动力；

所述动力传递部件，用于受到输出的动力后，进行动力的传递；被传递的动力能够转动所述吸盘，以至少带动所述吸盘上待刻蚀晶圆沿着所述待刻蚀晶圆所在圆的圆心转动。

上述方案中，所述吸盘所在圆的圆心与所述待刻蚀晶圆所在圆的圆心位于第一直线上。

上述方案中，所述动力输出部件和所述动力传递部件的几何中心线均与所述第一直线重合；所述动力传递部件的一端与所述动力输出部件连接，另一端与所述吸盘所在圆的圆心部分连接。

上述方案中，所述动力输出部件的几何中心线与所述第一直线重合；所述动力传递部件包括第一部分和第二部分；其中，

所述第一部分的几何中心线与所述第一直线垂直；所述第一部分的一端与所述动力输出部件连接，另一端与第二部分的一端连接；所述第二部分的另一端与所述吸盘连接。

上述方案中，所述装置还包括控制器，用于确定所述待刻蚀晶圆表面的刻蚀速率的分布情况满足预设条件时，控制所述转向子装置转动所述吸盘。

上述方案中，所述控制器，还用于根据所述待刻蚀晶圆表面的刻蚀速率的分布情况，控制所述转向子装置调整转动所述吸盘时的转动参数。

上述方案中，所述装置还包括加热部件，所述加热部件能够对所吸盘进行加热。

上述方案中，所述吸盘表面被划分为多个区域；所述加热部件包含多个子加热部件，所述多个子加热部件能够分别对所述多个区域中的每个区域单独进行加热。

本实用新型实施例还提供了一种刻蚀设备，包括：等离子激发装置、射频电极及晶圆承载装置；其中，

所述等离子激发装置，用于将刻蚀气体激发，形成等离子体；

所述射频电极，用于产生偏压电场，以使所述等离子体加速运动到所述待刻蚀晶圆表面，对所述待刻蚀晶圆进行刻蚀；

所述晶圆承载装置包括上述方案中任一所述的晶圆承载装置。