[实用新型]半导体设备中的晶圆机械手有效
| 申请号: | 202020508572.1 | 申请日: | 2020-04-09 | 
| 公开(公告)号: | CN211907410U | 公开(公告)日: | 2020-11-10 | 
| 发明(设计)人: | 李晓军 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/677 | 
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 | 
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体设备 中的 机械手 | ||
本实用新型提供一种半导体设备中的晶圆机械手,包括手指结构,手指结构包括手指本体和设置在手指本体上的至少两个叉指,手指本体和叉指上均设置有用于承载晶圆的承载部,承载部具有弧形的倾斜承载面,倾斜承载面的直径由下而上逐渐增大,且倾斜承载面的最小直径小于晶圆的直径,环形斜面的最大直径大于晶圆的直径,手指本体上的承载部与叉指上的承载部相互配合以承载晶圆。本实用新型提供的半导体设备中的晶圆机械手能够减少由于热冲击导致的晶圆裂片的情况发生,从而提高半导体工艺的稳定性,并使晶圆机械手在传取片时的移动速度能够得到提升,从而提高传取片的效率。
技术领域
本实用新型涉及半导体设备技术领域,具体地,涉及一种半导体设备中的晶圆机械手。
背景技术
在半导体加工设备中,通常采用机械手对硅片进行传取,机械手上通常设置有多个凸点,在传取片的过程中,机械手通过凸点与硅片接触,以托住硅片的背面,将硅片传入至工艺腔室内,或者从工艺腔室内将硅片取出。
但是,在半导体外延工艺中,工艺腔室内的温度约为1100℃-1200℃,机械手在进行取片时,硅片的温度约为800℃,而机械手的温度通常较低,大约只有几十摄氏度,因此,在取片的过程中,凸点与硅片接触时,硅片会由于热冲击而导致裂片。并且,由于凸点与硅片的接触面积很小,使得二者之间的摩擦力很小,这样就会使硅片在机械手上容易发生滑动,限制了机械手传取片时的移动速度,导致机械手传取片的效率较低。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种半导体设备中的晶圆机械手,其能够降低由于热冲击导致的晶圆裂片的情况发生,从而提高半导体工艺的稳定性,并使晶圆机械手在传取片时的移动速度能够得到提升,从而提高传取片的效率。
为实现本实用新型的目的而提供一种半导体设备中的晶圆机械手,包括手指结构,所述手指结构包括手指本体和设置在所述手指本体上的至少两个叉指,所述手指本体和所述叉指上均设置有用于承载晶圆的承载部,所述承载部具有弧形的倾斜承载面,所述倾斜承载面的直径由下而上逐渐增大,且所述倾斜承载面的最小直径小于所述晶圆的直径,所述环形斜面的最大直径大于所述晶圆的直径,所述手指本体上的承载部与所述叉指上的承载部相互配合以承载晶圆。
优选的,所述倾斜承载面与水平面的夹角范围为1°-60°。
优选的,所述倾斜承载面与水平面的夹角范围为2°-20°。
优选的,晶圆的直径与所述倾斜承载面的最小直径的差值范围为0.5mm-6mm。
优选的,所述倾斜承载面的最大直径与晶圆的直径的差值范围为0.5mm-6mm。
优选的,所述倾斜承载面的上边沿与下边沿的垂直间距范围为0.5mm-2mm。
优选的,所述承载部还包括沿所述倾斜承载面的上边沿设置的凸台。
优选的,所述手指本体上的承载部的凸台高于所述叉指上的承载部的凸台。
优选的,所述凸台的高度范围为0.2mm-1.5mm。
本实用新型具有以下有益效果:
本实用新型提供的半导体设备中的晶圆机械手,通过在手指本体和叉指上设置用于承载晶圆的具有弧形的倾斜承载面承载部,并将该倾斜承载面设置为直径由下而上逐渐增大,且最小直径小于晶圆的直径,最大直径大于晶圆的直径,可以使得承载部在承载晶圆时,基于倾斜承载面以线接触的方式与晶圆接触,从而降低晶圆与承载部的接触面积,以减少由于热冲击导致的晶圆裂片的情况发生,提高半导体工艺的稳定性,并且承载部承载晶圆时,由于晶圆位于弧形的倾斜承载面上,这就使得晶圆具有自动对中的效果,从而使得晶圆难以在承载部上发生滑动,进而使晶圆机械手在传取片时的移动速度能够得到提升,以提高传取片的效率。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





