[实用新型]存储器

说明书

本实用新型提供了一种存储器。利用隔离线和位线界定出节点接触窗，以用于容纳节点接触部，并且隔离线中具有低介电常数的第二隔离部，有利于降低隔离线其整体的介电常数，从而可以有效降低相邻的节点接触部之间的寄生电容，提高存储器的器件性能。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器。

背景技术

存储器，例如动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)，其通常包括存储电容器以及电性连接所述存储电容器的存储晶体管，所述存储电容器用于存储代表存储信息的电荷，以及所述存储晶体管可通过一节点接触部电性连接所述存储电容器。

其中，所述节点接触部的形成方法通常是利用位线和隔离线界定出节点接触窗，进而可以填充导电材料在所述节点接触窗中，以形成所述节点接触部。需要说明的是，随着半导体技术的发展，器件尺寸也随之缩减，此时相应的导致相邻的节点接触部之间的间隔也越来越近，如此一来，会进一步引发相邻的节点接触部之间的寄生电容过大的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种存储器，以解决现有的存储器中相邻的节点接触部之间寄生电容过大的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种存储器，包括：

衬底；

多条位线，形成在所述衬底上并沿着第一方向延伸；以及，

多条隔离线，形成在所述衬底上并沿着第二方向延伸，以使所述位线和所述隔离线相交界定出节点接触窗，并且所述隔离线包括第一隔离部和第二隔离部，所述第一隔离部将所述第二隔离部包覆在所述第一隔离部之内，并且所述第二隔离部的介电常数低于所述第一隔离部的介电常数。

可选的，所述第二隔离部为形成在所述第一隔离部内的至少一空隙。

可选的，所述第一隔离部包括至少两条延伸线，所述至少两条延伸线均沿着第二方向延伸，并且相邻的延伸线之间具有空隙。

可选的，所述至少两条延伸线沿着隔离线的宽度方向排布；或者，所述至少两条延伸线沿着高度方向上下排布。

可选的，所述第一隔离部还包括遮盖层，所述遮盖层至少覆盖所述至少两条延伸线，并延伸遮盖相邻的延伸线之间的空隙的开口。

可选的，所述第一隔离部包括沿着隔离线的宽度方向间隔排布的第一延伸线和第二延伸线，所述第一延伸线的底部和所述第二延伸线的底部之间还形成连接线，以连接所述第一延伸线的底部和第二延伸线的底部。

可选的，所述第一隔离部还包括第三延伸线，所述第三延伸线排布在所述第一延伸线和第二延伸线之间，并且所述第三延伸线均与所述第一延伸线和所述第二延伸线之间相互间隔。

可选的，所述第一隔离部包括沿着第二方向延伸的至少两条延伸线，以及所述第二隔离部包括沿着第二方向延伸的绝缘线，相邻的延伸线之间具有所述绝缘线。

可选的，所述第一隔离部还包括遮盖层，所述遮盖层覆盖所述至少两条延伸线和所述绝缘线，以将相邻的延伸线之间的绝缘线封盖在内。

本实用新型中还详细说明了一种存储器的形成方法，包括：

提供一衬底，并形成多条位线在所述衬底上，所述位线沿着第一方向延伸；以及，

形成多条隔离线在所述衬底上，所述隔离线沿着第二方向延伸，以使所述位线和所述隔离线相交界定出节点接触窗，并且所述隔离线包括第一隔离部和第二隔离部，所述第一隔离部将所述第二隔离部包覆在所述第一隔离部之内，并且所述第二隔离部的介电常数低于所述第一隔离部的介电常数。