[实用新型]一种EMC优化电路有效

专利信息
申请号: 202020501069.3 申请日: 2020-04-08
公开(公告)号: CN211506230U 公开(公告)日: 2020-09-15
发明(设计)人: 杜戈阳;胥海东 申请(专利权)人: 深圳市创芯技术有限公司
主分类号: G05B19/042 分类号: G05B19/042
代理公司: 深圳市鼎泰正和知识产权代理事务所(普通合伙) 44555 代理人: 陈文姬
地址: 518000 广东省深圳市宝安区福永*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 emc 优化 电路
【说明书】:

实用新型公开了一种EMC优化电路,该EMC优化电路包括驱动IC,驱动IC在给出驱动信号高电平,经过电阻R30限流后,二极管D2此时是正向导通满,在经过电阻R12驱动MOS晶体管Q1,使其开通。在当驱动IC给出低电平信号时,MOS晶体管Q1会截止,此时PNP型三极管Q3为低电平导通。将驱动电压通过电阻R12到地,直至放到0V,MOS晶体管停止工作,并不会通过二极管D2流向驱动IC,此时二极管D2方向截止。通过以上原理,本实用新型能够把PNP型三极管Q3、电阻R12、电阻R13放到接近MOS晶体管Q1的位置,以上工作的环路就会非常小,又起到很好的EMC控制作用。

技术领域

本实用新型涉及电路,具体的说是涉及一种EMC优化电路。

背景技术

EMC,为电磁兼容性EMC,是指设备或系统在其电磁环境中能正常工作且不对该环境中任何事物构成不能承受电磁骚扰的能力。传感器电磁兼容性是指传感器在电磁环境中的适应性,保持其固有性能、完成规定功能的能力。它包含两个方面要求:一方面要求传感器在正常运行过程中对所在环境产生电磁干扰不能超过一定限值;另一方面要求传感器对所在环境中存在电磁干扰具有一定程度抗扰度。

30W以上的MOS的驱动电路优化,主要解决回路大引起的EMC不良,外驱动MOS的方案,一般IC由于器件的放置都会与开关管MOS距离较远,主要有两个方面:

1.MOS温度较高,不会把热量传递到IC上,IC在超过温度,可能会有工作不稳定的现象;

2.MOS在开关电源的主路上,都是大电流工作区域,将低电压工作的IC放入其中,难度较大,也不利于产品的稳定工作。

实用新型内容

针对现有技术中的不足,本实用新型要解决的技术问题在于提供了一种EMC优化电路。该EMC优化电路能够解决上述问题,本实用新型的驱动IC在远离MOS的情况下,还能减少回路,控制EMC的发射或者接收。

为解决上述技术问题,本实用新型通过以下方案来实现:本实用新型的一种EMC优化电路,该EMC优化电路包括与电源连接的二级共模电感电路、与所述二级共模电感电路输出端连接的桥式二极管电路,所述二级共模电感电路设有第一共模电感电路和第二共模电感电路,其之间的电路节点上电连接有:

电容CX1;

串联的电阻R1和电阻R2;

串联的电阻R3和电阻R4,所述电阻R1和电阻R2之间的电路节点、所述电阻R3和电阻R4的电路节点之间相连接且连接有一电阻R10;

所述EMC优化电路还包括:

一驱动IC,该驱动IC的GATE-6引脚端能够给出驱动信号高电平;

顺次连接形成串联电路的电阻R30、二极管D2、电阻R12以及MOS晶体管Q1,其中,所述电阻R30接入所述GATE-6引脚端,电阻R30为限流电阻,其与所述二极管D2的正极端连接且其与所述二极管D2之间的电路节点上连接有电阻R13,所述电阻R12与所述MOS晶体管Q1的栅极连接;

一PNP型三极管Q3,其基极连接所述电阻R13的另一端,其发射极连接至所述二极管D2和所述电阻R12之间的电路节点上,其集电极连接至所述MOS晶体管Q1的源极且其与所述MOS晶体管Q1的栅极之间连接有电阻R14。

进一步的,所述驱动IC为一自适应多模式PWM控制器。

进一步的,所述驱动IC的GDN-1引脚端接地并电连接有电容C6、三极管U2:B,所述电容C6、三极管U2:B形成并联电路且连接至所述驱动IC的FB-2引脚端;

所述驱动IC的VDD-5引脚端与所述电阻R10之间分别连接有:

电阻R11;

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