[实用新型]一种EMC优化电路

权利要求书

1.一种EMC优化电路，该EMC优化电路包括与电源连接的二级共模电感电路、与所述二级共模电感电路输出端连接的桥式二极管电路，所述二级共模电感电路设有第一共模电感电路和第二共模电感电路，其之间的电路节点上电连接有：

电容CX1；

串联的电阻R1和电阻R2；

串联的电阻R3和电阻R4，所述电阻R1和电阻R2之间的电路节点、所述电阻R3和电阻R4的电路节点之间相连接且连接有一电阻R10；

其特征在于，所述EMC优化电路还包括：

一驱动IC，该驱动IC的GATE-6引脚端能够给出驱动信号高电平；

顺次连接形成串联电路的电阻R30、二极管D2、电阻R12以及MOS晶体管Q1，其中，所述电阻R30接入所述GATE-6引脚端，电阻R30为限流电阻，其与所述二极管D2的正极端连接且其与所述二极管D2之间的电路节点上连接有电阻R13，所述电阻R12与所述MOS晶体管Q1的栅极连接；

一PNP型三极管Q3，其基极连接所述电阻R13的另一端，其发射极连接至所述二极管D2和所述电阻R12之间的电路节点上，其集电极连接至所述MOS晶体管Q1的源极且其与所述MOS晶体管Q1的栅极之间连接有电阻R14。

2.根据权利要求1所述的一种EMC优化电路，其特征在于，所述驱动IC为一自适应多模式PWM控制器。

3.根据权利要求1所述的一种EMC优化电路，其特征在于，所述驱动IC的GDN-1引脚端接地并电连接有电容C6、三极管U2:B，所述电容C6、三极管U2:B形成并联电路且连接至所述驱动IC的FB-2引脚端；

所述驱动IC的VDD-5引脚端与所述电阻R10之间分别连接有：

电阻R11；

由电容C7、有极性电容EC2组成的第一串联电路且该第一串联电路与所述电阻R11形成并联电路，其中，电容C7的一端连接所述驱动IC的VDD-5引脚端，所述有极性电容EC2的正极端连接所述电阻R10且其正极端还连接所述电阻R11；

由电容C7、一第一电感线圈、二极管D5、电阻R18组成的第二串联电路，其中，所述的第一电感线圈、二极管D5、电阻R18组成的电路与所述有极性电容EC2形成并联电路，所述电容C7和所述第一电感线圈之间的电路节点上连接有电阻J1，所述电阻J1的另一端接入RTN1电路，所述电阻R18与所述二极管D5的负极端连接。

4.根据权利要求3所述的一种EMC优化电路，其特征在于，所述二极管D5的正极端和所述第一电感线圈之间的电路节点上连接有电阻R17，所述电阻R17的另一端连接所述驱动IC的RI-3引脚端。

5.根据权利要求3所述的一种EMC优化电路，其特征在于，所述驱动IC的SENSE-4引脚端分别电连接有电阻R15、电容C5，所述电阻R15的另一端和所述电容C5的另一端的电路之间分别连接有电阻RS1、电阻RS2、电阻RS3和电阻RS4；

所述电阻R15，其背向所述驱动IC的连接端还连接至所述MOS晶体管Q1的源极以及一电容C4的一端，所述电容C4的另一端与所述MOS晶体管Q1的漏极连接且连接至第二电感线圈的一端，所述MOS晶体管Q1的漏极还连接至二极管D1的正极；所述电容C5，其背向所述驱动IC的连接端还连接一RTN1电路。

6.根据权利要求5所述的一种EMC优化电路，其特征在于，所述二极管D1的负极端分别连接有三个第一电阻，该三个第一电阻并联且其并联后与所述第二电感线圈的另一端之间连接有三个第二电阻和一个电容C12，该三个第二电阻和所述电容C12之间相互形成并联电路结构且其并联后连接至所述桥式二极管电路的正极端。

7.根据权利要求6所述的一种EMC优化电路，其特征在于，所述桥式二极管电路的正极和负极之间分别连接有电容C1和有极性电容EC1，其中，所述有极性电容EC1的正极端连接至所述桥式二极管电路的正极，其负极端连接所述RTN1电路。

8.根据权利要求7所述的一种EMC优化电路，其特征在于，所述RTN1电路的另一端连接有电容CY1，该电容CY1的另一端连接所述EMC优化电路的输出电路V+。