[实用新型]用于半导体制造工艺的喷嘴机构有效
申请号: | 202020488090.4 | 申请日: | 2020-04-07 |
公开(公告)号: | CN212576583U | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 尹安和 | 申请(专利权)人: | 芯米(厦门)半导体设备有限公司 |
主分类号: | B05B1/14 | 分类号: | B05B1/14;B05B1/30 |
代理公司: | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人: | 吴圳添 |
地址: | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体 制造 工艺 喷嘴 机构 | ||
一种用于半导体制造工艺的喷嘴机构,包括:承载体;贯穿所述承载体上表面和下表面的多个管道;所述管道在所述承载体的上表面形成上管口,所述管道在所述承载体的下表面形成下管口;所述上管口用于连接外部送液管;全部所述下管口朝向同一喷涂点。所述喷嘴机构使用便捷,装配简单。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造领域,尤其涉及一种用于半导体制造工艺的喷嘴机构。
背景技术
在晶圆加工等半导体制造工艺过程中,经常需要利用喷嘴装置向晶圆上的各种表面喷射处理液体。例如,对于光刻工艺中的显影技术,需要利用喷嘴装置在光刻工艺中的显影步骤向晶圆上的光致抗蚀剂表面喷射显影液,由此可通过喷射的显影液使晶圆上的光致抗蚀剂显影。
对于用于晶圆加工(半导体制造工艺)的喷嘴装置,经常是只能用于单一种液体的喷涂。在反复执行光刻法(photo Lithography)等蚀刻工程,进行光刻及蚀刻工程时,必然会残留蚀刻副产物等不纯物质,需要除掉此类蚀刻不纯物。而去掉此类蚀刻不纯物,需要在晶圆、半导体元件、平板显示元件制造上进行清洗。清洗时,需要利用其它清洗溶液,通常也需要相应的喷嘴装置,对清洗对象进行喷射清洗等。此类通常的清洗液喷嘴,由喷射口喷射出来的清洗液只能直线运动,清洗对象的部位是限定的位置。
可见,在各种需要多个喷嘴配合时,经常需要逐步固定和配合。操作人员往往不得不反复调试。由此,希望能够提供一种能够实现多喷嘴配合使用的用于半导体加工的喷嘴装置。
实用新型内容
本实用新型解决的问题是提供一种用于半导体制造工艺的喷嘴机构,以更好地实现语音的传送和交互过程。
为解决上述问题,本实用新型提供了一种用于半导体制造工艺的喷嘴机构,包括:承载体;贯穿所述承载体上表面和下表面的多个管道;所述管道在所述承载体的上表面形成上管口,所述管道在所述承载体的下表面形成下管口;所述上管口用于连接外部送液管;全部所述下管口朝向同一喷涂点。
可选的,所述上管口大于所述下管口。
可选的,所述管道的上端内壁具有上螺纹,所述上螺纹用于所述上管口与所述送液管的连接。
可选的,所述上管口的周沿具有上环形槽,所述上环形槽限定所述管道的上端成为上凸起,所述上凸起的外侧面具有上部螺纹,所述上部螺纹用于所述上管口与所述送液管的连接。
可选的,所述上管口在所述承载体上表面呈行列排布,或者所述上管口在所述承载体上表面呈单圈排布,或者所述上管口在所述承载体上表面呈多圈排布,或者所述上管口在所述承载体上表面呈具有中心的单圈排布,或者所述上管口在所述承载体上表面呈具有中心的多圈排布。
可选的,所述承载体为长方体、圆柱体、截顶圆锥体、棱台或者球体。
可选的,所述下管口连接下管嘴,所述下管嘴连接在所述下管口之后,全部所述下管嘴朝向同一个喷涂点。
可选的,所述管道的下端内壁具有下螺纹,所述下螺纹用于所述下管口与所述下管嘴的连接。
可选的,所述下管口的周沿具有下环形槽,所述下环形槽限定所述管道的下端成为下凸起,所述下凸起的外侧面具有下部螺纹,所述下部螺纹用于所述下管口与所述下管嘴的连接。
可选的,所述下管嘴内部的通道呈上宽下窄的形状。
本实用新型技术方案的其中一个方面中,用于半导体制造工艺的喷嘴机构结构设置为载体加通道的结构,能够利用一个机构实现多个喷嘴共同组合在一起。在使用过程中,只要调整好相应的位置,就能够采用这个用于半导体制造工艺的喷嘴机构同时实现多种液体对同一个工作点的喷涂,而不必对不同喷嘴进行一一调整和配合,因此,使用起来更加快捷方便。
附图说明
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