[实用新型]一种散热芯片有效
| 申请号： | 202020464753.9 | 申请日： | 2020-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN212532789U | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 张振 | 申请（专利权）人： | 上海闻泰信息技术有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/581 | 分类号： | C04B35/581;C04B35/626;C04B35/622;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;潘登 |
| 地址： | 200000 上海市徐*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 散热 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种散热芯片，其特征在于，所述散热芯片包括依次层叠设置的铜箔层、散热层和芯片；
所述散热层为氮化铝层。
2.根据权利要求1所述的散热芯片，其特征在于，所述散热层和所述芯片之间设置有第一粘结层；
所述铜箔层和所述散热层之间设置有第二粘结层。
3.根据权利要求1所述的散热芯片，其特征在于，所述散热层的厚度为10μm～150μm。
4.根据权利要求1所述的散热芯片，其特征在于，所述铜箔的厚度为10μm～150μm。
5.根据权利要求2所述的散热芯片，其特征在于，所述第一粘结层的厚度为10μm～30μm。
6.根据权利要求2所述的散热芯片，其特征在于，所述第二粘结层的厚度为10μm～30μm。
7.根据权利要求2所述的散热芯片，其特征在于，所述散热层、所述铜箔、所述第一粘结层和所述第二粘结层的厚度比为(1～5):(1～5):1:1。
8.根据权利要求1所述的散热芯片，其特征在于，所述散热层为导热系数为70W/(m·K)～210W/(m·K)的氮化铝层。
9.根据权利要求1所述的散热芯片，其特征在于，所述散热层为粒径为0.2mm～0.5mm的氮化铝层。
10.根据权利要求2所述的散热芯片，其特征在于，所述第一粘结层和所述第二粘结层为聚甲基丙烯甲酯层。
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