[实用新型]用于清理托盘表面硅膜层的装置有效
申请号: | 202020462852.3 | 申请日: | 2020-04-02 |
公开(公告)号: | CN212330014U | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 汪训忠 | 申请(专利权)人: | 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 |
主分类号: | B23K26/36 | 分类号: | B23K26/36;B23K26/402;B23K26/142;B23K26/064;B23K26/082;B23K26/70 |
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地址: | 201620 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 清理 托盘 表面 硅膜层 装置 | ||
本实用新型提供一种用于清理托盘表面硅膜层的装置。该装置包括:托盘承载台,其用于承载覆盖有硅膜层的待清理托盘;激光模块,其包括用于产生预设激光的激光源以及用于输出所述预设激光对应的预设光斑到待清理托盘表面的待清理区域以轰击其上的硅膜层形成硅粉末的激光头;吸尘装置,其用于吸附收集所述激光头轰击形成的硅粉末;以及驱动模块,其用于驱使所述激光头输出所述预设光斑轰击待清理区域上的硅膜层,以使所述硅膜层爆开脱离待清理托盘形成硅粉末,并用于驱使吸尘装置跟随激光头运动并吸附收集所形成的硅粉末。本实用新型能高效、区域选择性地清理托盘表面的硅膜层,能够满足太阳能电池承载托盘的离线清理需求。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制造领域,特别涉及用于清理托盘表面硅膜层的装置。
背景技术
常见的异质结(HIT)太阳能电池结构是在N型晶体硅的一面沉积 I型本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜,在另一面沉积I型本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜。TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact) 太阳能电池是使用一层超薄的氧化层与掺杂的薄膜硅或非晶硅钝化电池的背面。HIT和TOPCon等太阳能电池都需要沉积非晶硅/多晶硅或掺杂的非晶硅/多晶硅(统称为硅膜层)。承载HIT、TOPCon电池片或硅片的托盘表面也会被镀上硅膜层。
当硅膜层的厚度达到一定厚度时候,为防止硅膜层脱落或掉粉等情况,现在业界通常的做法是使用等离子刻蚀或者化学腐蚀来处理。但在量产线上,等离子体难以对托盘表面不同厚度区域的薄膜进行选择性刻蚀,而化学腐蚀方法速度较慢,化学品操作及后处理也麻烦,还涉及到托盘的烘干、污染等问题。如上所述,通过等离子刻蚀或者化学腐蚀清理硅膜层都存在清理效果不理想、耗费时间长的问题。
因此,如何提供一种用于清理托盘表面硅膜层的装置以提高清理效率和清理效果已成为业内亟待解决的技术问题。
实用新型内容
针对现有技术的上述问题,本实用新型提出了一种用于清理托盘表面硅膜层的装置,所述装置包括:托盘承载台,其用于承载覆盖有硅膜层的待清理托盘;激光模块,其包括用于产生预设激光的激光源以及用于输出所述预设激光对应的预设光斑到所述待清理托盘表面的待清理区域以轰击其上的硅膜层形成硅粉末的激光头;吸尘装置,其用于吸附收集所述激光头轰击形成的硅粉末;以及驱动模块,其用于驱使所述激光头输出所述预设光斑轰击所述待清理区域上的硅膜层,以使所述硅膜层爆开脱离所述待清理托盘形成硅粉末,并用于驱使所述吸尘装置跟随所述激光头运动并吸附收集所形成的硅粉末。
在一实施例中,所述硅膜层的厚度为50nm-5mm。
在一实施例中,所述激光源产生的预设激光的功率为1W-500W、激光波长为10nm-2000nm、激光脉宽100fs-10s、激光频率为0.1-500kHz。
在一实施例中,所述硅膜层的厚度越厚,所述驱动模块驱使所述激光源产生的所述预设激光的功率越大,所述激光头输出的预设光斑在每个清理点的驻留清理时间越长。
在一实施例中,所述硅膜层包括本征多晶硅、本征非晶硅、磷/硼掺杂的多晶硅、磷/硼掺杂的非晶硅。
在一实施例中,所述硅粉末包括本征多晶硅粉末、本征非晶硅粉末、磷/硼掺杂的多晶硅粉末、磷/硼掺杂的非晶硅粉末。
在一实施例中,所述托盘的材质为石墨、铝、不锈钢、陶瓷或玻璃。
在一实施例中,所述激光头包括振镜和场镜,所述激光源产生的预设激光经所述振镜反射后入射到所述场镜,并由所述场镜聚焦成预设光斑后入射到所述托盘的待清理区域,所述驱动模块与所述振镜连接并能驱使所述振镜摆动以使预设光斑到达对应待清理区域的位置。
在一实施例中,所述驱动模块驱使所述激光头和所述吸尘装置以阵列扫描的方式清除所述待清理区域上的硅膜层。
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