[实用新型]一种双面透明电极的垂直结构LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种双面透明电极的垂直结构LED芯片，结构从下至上依次包括支撑导电基板、键合金属层、保护金属层、反射金属层、p面透明电极、外延层、钝化绝缘层和n面透明电极，其中，所述钝化绝缘层设置在所述外延层的外周，并与所述外延层顶部形成第一凹槽，所述n面透明电极底部设置有与第一凹槽相匹配的凸起。由于p面电极采用透明电极，能做出稳定的欧姆接触，使产品电压稳定，且透光性能良好，解决了传统垂直结构LED芯片电压不稳定的问题；此外，由于n面电极也采用透明电极，能够极大的改善电流扩展，和避免n电极吸光挡光问题，进一步提升亮度，减少大电流下发热，提升光效，解决传统垂直结构LED芯片电流扩展不好的问题。

技术领域

本实用新型涉及LED芯片制造技术领域，特别涉及一种双面透明电极的垂直结构LED芯片。

背景技术

发光二极管(LightEmittingDiode，LED)是靠PN结把电能转换成光能的一种器件，具有可控性好、启动快、寿命长、发光效率高、安全、节能环保等优点，不仅带动照明产业的深刻变革，同时还引领着显示屏领域的创新。

随着LED产业的发展，大功率LED越来越受到人们的青睐，在大功率LED中，垂直结构LED芯片以其可通大电流和出光方向好而受各到市场青睐，各大LED芯片厂，也开发出其自身的垂直结构LED芯片技术，然而，目前垂直结构LED芯片由于p面电极是纯Ag电极，虽有较高的反射率，但不好做欧姆接触，电压不稳定；此外，n面电极为局部线性金属，电流扩展不好，且吸光挡光。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提出一种双面透明电极的垂直结构LED芯片，能够解决传统垂直结构LED芯片存在的电压不稳定和电流扩展不好的技术问题。

本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种双面透明电极的垂直结构LED芯片，包括支撑导电基板、键合金属层、保护金属层、反射金属层、p面透明电极、外延层、钝化绝缘层和n面透明电极，所述键合金属层安装在所述支撑导电基板上，所述保护金属层安装在所述键合金属层上，所述反射金属层安装在所述保护金属层上，所述p面透明电极安装在所述反射金属层上，所述外延层安装在所述p面透明电极上，所述钝化绝缘层设置在所述外延层的外周，并与所述外延层顶部形成第一凹槽，所述n面透明电极底部设置有与第一凹槽相匹配的凸起。

作为所述双面透明电极的垂直结构LED芯片的进一步可选方案，所述n面透明电极顶部设置有第二凹槽。

作为所述双面透明电极的垂直结构LED芯片的进一步可选方案，所述钝化绝缘层包括设置在所述外延层外周的立柱绝缘层和设置在所述外延层顶部的横柱绝缘层。

作为所述双面透明电极的垂直结构LED芯片的进一步可选方案，所述p面透明电极采用石墨烯、ITO、ZnO和Ga2O3中的任意一种透明导电材料，所述p面透明电极厚度为5nm-10000nm。

作为所述双面透明电极的垂直结构LED芯片的进一步可选方案，所述n面透明电极采用石墨烯、ITO、ZnO和Ga2O3中的任意一种透明导电材料，所述n面透明电极厚度为5nm-10000nm。

作为所述双面透明电极的垂直结构LED芯片的进一步可选方案，所述保护金属层为Ti、TiW、Pt、Ni、Cr和Au的多金属叠层，所述保护金属层厚度为100nm-5000nm。

作为所述双面透明电极的垂直结构LED芯片的进一步可选方案，所述键合金属层为Ni和Sn、Ag和Sn、Au和Sn、Au的叠层和共晶合金中的任意一种，所述键合金属层厚度为100nm-5000nm。

作为所述双面透明电极的垂直结构LED芯片的进一步可选方案，所述钝化绝缘层为SiO2、SiN和聚酰亚胺中的任意一种绝缘材料，所述钝化绝缘层厚度为50nm-10000nm。