[实用新型]一种双面透明电极的垂直结构LED芯片有效
| 申请号： | 202020457042.9 | 申请日： | 2020-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN211907459U | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州凯东知识产权代理有限公司 44259 | 代理人： | 李勤辉 |
| 地址： | 517000 广东省河源市高新技术开*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双面 透明 电极 垂直 结构 led 芯片 | ||
1.一种双面透明电极的垂直结构LED芯片，其特征在于，包括支撑导电基板(1)、键合金属层(2)、保护金属层(3)、反射金属层(4)、p面透明电极(5)、外延层(6)、钝化绝缘层(7)和n面透明电极(8)，所述键合金属层(2)安装在所述支撑导电基板上(1)，所述保护金属层(3)安装在所述键合金属层(2)上，所述反射金属层(4)安装在所述保护金属层(3)上，所述p面透明电极(5)安装在所述反射金属层(4)上，所述外延层(6)安装在所述p面透明电极(5)上，所述钝化绝缘层(7)设置在所述外延层(6)的外周，并与所述外延层(6)顶部形成第一凹槽(9)，所述n面透明电极(8)底部设置有与第一凹槽(9)相匹配的凸起(801)。
2.根据权利要求1所述的一种双面透明电极的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述n面透明电极(8)顶部设置有第二凹槽(802)。
3.根据权利要求2所述的一种双面透明电极的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述钝化绝缘层(7)包括设置在所述外延层(6)外周的立柱绝缘层(701)和设置在所述外延层(6)顶部的横柱绝缘层(702)。
4.根据权利要求3所述的一种双面透明电极的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述p面透明电极(5)采用石墨烯、ITO、ZnO和Ga2O3中的任意一种透明导电材料，所述p面透明电极(5)厚度为5nm-10000nm。
5.根据权利要求4所述的一种双面透明电极的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述n面透明电极(8)采用石墨烯、ITO、ZnO和Ga2O3中的任意一种透明导电材料，所述n面透明电极(8)厚度为5nm-10000nm。
6.根据权利要求5所述的一种双面透明电极的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述保护金属层(3)为Ti、TiW、Pt、Ni、Cr和Au的多金属叠层，所述保护金属层(3)厚度为100nm-5000nm。
7.根据权利要求6所述的一种双面透明电极的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述键合金属层(2)为Ni和Sn、Ag和Sn、Au和Sn、Au的叠层和共晶合金中的任意一种，所述键合金属层(2)厚度为100nm-5000nm。
8.根据权利要求7所述的一种双面透明电极的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述钝化绝缘层(7)为SiO2、SiN和聚酰亚胺中的任意一种绝缘材料，所述钝化绝缘层(7)厚度为50nm-10000nm。
9.根据权利要求8所述的一种双面透明电极的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述支撑导电基板(1)为单晶硅、单晶锗、多晶硅、多晶锗、Cu、W、Al中的任意一种材料，所述支撑导电基板(1)厚度为50um-400um。
10.根据权利要求9所述的一种双面透明电极的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述反射金属层(4)为NiAg叠层和Al金属中的任意一种，所述外延层(6)为硅基或蓝宝石或SiC衬底上生长的发光GaN层。
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