[实用新型]一种用于石英管更换的辅助对准装置和一种半导体处理炉有效
| 申请号: | 202020439773.0 | 申请日: | 2020-03-30 |
| 公开(公告)号: | CN211788930U | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
| 发明(设计)人: | 张浩冉;邓伟东 | 申请(专利权)人: | 芯恩(青岛)集成电路有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 高园园 |
| 地址: | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 石英管 更换 辅助 对准 装置 半导体 处理 | ||
本实用新型提供一种用于石英管更换的辅助对准装置,所述石英管呈圆柱形,且安装在管座的圆柱形凹槽内,所述辅助对准结构包括:能够固定在管座上方的安装架,所述安装架上设置有可延伸至所述管座上方的承载架,且所述承载架与所述管座之间设置有能够允许所述石英管更换的安装距离;安装在所述承载架上的至少三个激光器,所述至少三个激光器的激光射线指向所述管座,并能沿待更换石英管外圆柱面的不同母线延伸方向射出。本实用新型辅助安装装置利用激光射线进行安装导向,避免设备工程师只依靠眼和手感经验来放置石英管,减少石英管的磕碰损坏,避免因人为原因造成石英管强制报废,节约了成本。
技术领域
本实用新型涉及半导体领域,具体涉及一种用于石英管更换的辅助对准装置和一种半导体处理炉。
背景技术
半导体元器件的薄膜生长工艺多在处理炉(Furnace)内进行,并以石英管(QuartzTube)包围晶圆(Wafer)的状态进行各种工序,从而防止晶圆上有可能产生的缺陷。处理炉机台因制程原因在晶圆上长膜厚的同时,在石英管上也会生长相应膜厚,当膜厚积累到一定程度后就会影响晶圆的良品率。为了保证产品的安全,设备工程师会定期在设备维护保养中更换石英管。然而处理炉机台使用的石英管比较脆弱,一旦在安装过程中受到碰撞很容易产生剥落,因此石英管在处理炉内管座上安装时,具有较高的难度。现有石英管安装过程中只能靠肉眼观察来判断石英管与管座是否对准,所以容易因放置时的偏差导致石英管底部破损,这样会进一步导致晶圆缺陷率增高,严重时直接导致晶圆报废,损失较大。
实用新型内容
针对现有技术中存在的不足与缺陷,本实用新型提供一种用于石英管更换的辅助对准装置和一种半导体处理炉用于解决现有石英管安装过程中只能靠肉眼观察,容易偏斜导致石英管损坏的问题。
鉴于现有技术中存在的问题,本实用新型的第一个方面是提供一种用于石英管更换的辅助对准装置,所述石英管呈圆柱形,且安装在管座的圆柱形凹槽内,所述辅助对准结构包括:
能够固定在管座上方的安装架,所述安装架上设置有可延伸至所述管座上方的承载架,且所述承载架与所述管座之间设置有能够允许所述石英管更换的安装距离;
安装在所述承载架上的至少三个激光器,所述至少三个激光器的激光射线指向所述管座,并能沿待更换石英管外圆柱面的不同母线延伸方向射出等。
在本实用新型一示例中,所述激光器有六个,且六个所述激光器发出的激光射线沿圆周方向均布在所述圆柱面上。
在本实用新型一示例中,所述安装架还包括底座、第一连接架、第二连接架,所述底座上设置有能够将所述底座固定在所述处理炉上的连接部,所述第一连接架的一端与所述底座通过可锁定不动的第一铰接结构相铰接;所述第二连接架的一端与所述第一连接架的另一端通过可锁定不动的第二铰接结构相铰接;所述承载架与所述第二连接架的另一端通过可锁定不动的第三铰接结构相铰接。
在本实用新型一示例中,所述第三铰接结构的转轴轴线与所述第一铰接结构和第二铰接结构的转轴轴线相垂直。
在本实用新型一示例中,所述第一连接架包括第一连接体和第二连接体,所述底座上设置有向上凸起的铰接座,所述第一连接体和所述第二连接体朝向所述铰接座的一端分居于所述铰接座两侧并通过所述第一铰接结构与所述铰接座相铰接;所述第一连接体和所述第二连接体朝向所述第二连接架的一端分居于所述第二连接架的两侧,并分别通过所述第二铰接结构与所述第二连接架相铰接。
在本实用新型一示例中,所述铰接结构包括铰接螺栓和螺母,所述铰接螺栓的小端穿过各个铰接件上的铰接孔与所述螺母螺纹连接。
在本实用新型一示例中,所述第一连接体、第二连接体与所述铰接座和/或所述第二连接架之间,所述承载架与所述第二连接架之间均设置有止动垫圈。
在本实用新型一示例中,所述止动垫圈的两侧表面均设置有多个尖凸部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





