[实用新型]降翘散热芯片封装结构

说明书

本实用新型公开了一种降翘散热芯片封装结构，属于芯片封装技术领域，包括中部开设有安装孔的第一塑封层，所述安装孔内布置有第一芯片组和至少1个被动元件后填充有模塑化合物材料；内嵌有第二芯片组的上封体结构焊锡电连接于第一塑封层上方；布线层，设置于第一塑封层下方，所述布线层与第一芯片组、第二芯片组和被动元件的电信号引出与布线层电连接，所述布线层底部设有若干个电连接的焊接凸块。本实用新型通过填充模塑化合物材料平衡封装的各材料之间的热膨胀系数，且上封层内嵌有第二芯片组，在单位面积上集成更多的芯片封装，使得整个芯片封装结构得以提升，降低封装翘曲和提高散热效果，满足日益需求的产品功能。

技术领域

本实用新型属于芯片封装技术领域，尤其涉及一种降翘散热芯片封装结构。

背景技术

半导体广泛应用于各种智能电子产品中，智能系统的集成对电子元器件产品在单位面积下的功能密度和性能要求不断地提高，这对元件尺寸不断缩小的芯片封装制造工艺提出更高的要求。

然而，现有芯片封装由于芯片与塑封料之间的热膨胀系数存在差异，导致塑封翘曲，且封装空间密度利用率低，散热效果差，难以满足智能化产品功能的日益需求。

实用新型内容

本实用新型提供一种降翘散热芯片封装结构，旨在降低现有芯片封装翘曲程度，提高封装的集成密度和散热效果的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种降翘散热芯片封装结构，包括中部开设有安装孔的第一塑封层，所述安装孔内布置有第一芯片组和至少1个被动元件，所述安装孔内填充有模塑化合物材料以实现降翘散热，所述第一塑封层上设有若干个竖向导电通孔；上封体结构，设置于所述第一塑封层上方，所述上封体结构内嵌有第二芯片组，所述上封体结构与第一塑封层中的导电通孔焊锡电连接；布线层，设置于所述第一塑封层下方，所述布线层与第一芯片组、第二芯片组和被动元件的电信号引出与所述布线层电连接，所述布线层底部设有若干个焊接凸块，所述布线层与焊接凸块电连接；

所述上封体结构包括第二介电层、第二塑封层、第二芯片组、金属引线和金属凸块，所述第二介电层上设有第二芯片组，所述第二介电层设有若干个与所述导线通孔对应连接的导电柱，所述导电柱上端面设有金属凸块，所述第二芯片组通过金属引线与金属凸块键合连接，所述第二介电层上设有第二塑封层，所述第二塑封层包裹第二芯片组、金属引线和金属凸块。

优选地，所述第一塑封层与布线层之间设有第一介电层，所述导电通孔延设至所述第一介电层下端面。

优选地，所述第一介电层上设有若干个导电内连线，所述导电内连线上端面设有与所述第一芯片组底面及被动元件底面的有源面电连线的接合垫。

优选地，所述模塑化合物材料包括填充物和无机物颗粒，所述无机物颗粒均匀分布于所述填充物内以改善封装翘曲及散热。

优选地，所述第一芯片组包括第一功能芯片和至少1个高频芯片，所述第二芯片组包括至少2个第二功能芯片，所述第一功能芯片、高频芯片和第二功能芯片用于参与功能模块的编制驱动。

优选地，所述第一芯片组和第二芯片组均采用3D叠加排列。

优选地，所述3D叠加排列包括斜向阶梯叠加排列、水平交错叠加排列和金字塔形叠加排列。

优选地，布线层下端面铺设有绝缘材料层，所述绝缘材料层覆盖在布线层与焊接球连接处。

优选地，所述布线层为至少1层。

本实用新型与现有技术相比具有以下有益效果：