[实用新型]一种自动化晶圆上下料装置有效
| 申请号: | 202020394874.0 | 申请日: | 2020-03-25 |
| 公开(公告)号: | CN211350604U | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
| 发明(设计)人: | 许原诚;时庆楠;李雨;周德榕 | 申请(专利权)人: | 江苏汇成光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
| 代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 王峰 |
| 地址: | 225128 江苏省扬州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 自动化 上下 装置 | ||
本实用新型公开了半导体制造领域内的一种自动化晶圆上下料装置,包括导轨一上滑动连接有移动底座,电机座上安装有电机,电机的输出轴上套设有齿轮,齿轮与齿条相啮合,所述移动底座上设置有安装座,安装座上竖直设置有立架,立架右侧的导轨二上滑动连接有升降架,升降架上沿长度方向设置有导轨三,升降架上通过导轨三滑动连接有料架,料架底部对应导轨三设置有滑槽,升降架的左右两侧均设置有气缸,气缸的活塞杆与料架的长度方向平行,两气缸的活塞杆伸出端分别通过连接件与料架的左右两侧相连接,料架的前端对应转盘设置有吸料组件。本实用新型能够提高晶圆的上下料效率。
技术领域
本实用新型属于半导体制造领域,特别涉及一种自动化晶圆上下料装置。
背景技术
现有技术中,在半导体封装制造业液晶屏幕驱动芯片金凸块制程工艺中,常规制程为溅射凸块阻障层(UBM, under bump metal)后,以黄光光阻制程定义凸块位置,经由化学电镀或无电解电镀将金沉积在晶圆上型成金凸块,再藉由湿法刻蚀将光阻与多余的凸块阻障层去除。晶圆是指制造半导体晶体管或集成电路的衬底(也叫基片),由于是晶体材料,其形状为圆形,所以称为晶圆。晶圆加工制造出来后,如果需要对晶圆进行处理的话,通常采用人工手动搬运,导致晶圆的上下料效率较低,最终影响加工处理效率。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种自动化晶圆上下料装置,能够实现将多个晶圆同时移动输送到相应位置,提高晶圆的上下料效率。
本实用新型的目的是这样实现的:一种自动化晶圆上下料装置,包括横向设置的导轨一,导轨一上滑动连接有移动底座,移动底座上一体设置有电机座,电机座所在平面位于移动底座所在平面的下方,电机座上安装有电机,电机的输出轴上套设有齿轮,导轨一侧面对应齿轮沿长度方向设置有齿条,所述齿轮与齿条相啮合,所述移动底座上设置有安装座,安装座上竖直设置有立架,立架右侧中部竖直设置有导轨二,导轨二上通过滑块滑动连接有水平的升降架,立架上位于导轨二的前后两侧均竖直设置有可转动的丝杠,两根丝杠上的丝杠螺母与滑块对应一侧传动连接,升降架的长度方向与导轨一的长度方向垂直,升降架上沿长度方向设置有导轨三,升降架上通过导轨三滑动连接有料架,料架底部对应导轨三设置有滑槽,升降架的左右两侧均设置有气缸,气缸的活塞杆与料架的长度方向平行,两气缸的活塞杆伸出端分别通过连接件与料架的左右两侧相连接,料架的前端对应转盘设置有吸料组件。
本实用新型工作时,电机带动齿轮转动,齿轮沿着齿条滚动,带动移动底座沿着导轨一移动;丝杠转动,通过丝杠螺母带动升降架沿着导轨二升降;两气缸共同驱动料架沿着导轨三移动;吸料组件可以自由移动,吸料组件上的各真空吸盘可吸附固定住多个晶圆。与现有技术相比,本实用新型的有益效果在于:能够实现将多个晶圆同时移动输送到相应位置,提高晶圆的上下料效率。
作为本实用新型的进一步改进,所述吸料组件包括若干互相平行的横向杆,前后相邻的两根横向杆之间设置有若干纵向连接杆,所述横向杆下侧沿长度方向依次间隔设置有若干真空吸盘。真空吸盘吸附固定晶圆,不会损伤晶圆。
作为本实用新型的进一步改进,与所述吸料组件相对应地设置有处理室,处理室内可转动地设置有竖直的转轴,转轴上沿轴向间隔设置有若干转盘,转盘与转轴相垂直,转盘上设置有若干排晶圆载台,转盘上位于转轴前后两侧的各晶圆载台对称分布,转盘前侧或后侧的各晶圆载台与各真空吸盘一一对应设置。转轴可带动转盘转动,吸料组件上的各真空吸盘先将多个晶圆送到转盘前侧,然后转盘旋转180°使得转盘后侧空置的晶圆载台转动到前侧,吸料组件再将若干晶圆送到转盘剩余的晶圆载台上。
作为本实用新型的进一步改进,所述电机座上设置有贯穿槽,齿轮下侧位于贯穿槽下方。
作为本实用新型的进一步改进,所述滑块右侧设置有支撑座,升降架设置在支撑座上。
为了更平稳为料架提供导向,所述导轨三左右对称设置有两条。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





