[实用新型]一种电磁兼容优化装置有效
| 申请号: | 202020383206.8 | 申请日: | 2020-03-23 |
| 公开(公告)号: | CN211701846U | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
| 发明(设计)人: | 马超 | 申请(专利权)人: | 安克创新科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H02M1/44 | 分类号: | H02M1/44;H02M3/335 |
| 代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 高伟 |
| 地址: | 410205 湖南省长沙市高新开发区尖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电磁 兼容 优化 装置 | ||
本实用新型提供一种电磁兼容优化装置,其特征在于,包括:钳位电路和屏蔽装置;所述钳位电路包括电容、电阻和晶体管,其中,所述晶体管为氮化镓场效应晶体管,所述屏蔽装置包括金属屏蔽片,其中,所述金属屏蔽片包括至少一个接地点。获得了小型化的、有效地电磁兼容装置,极大地优化了电磁兼容装置的性能。
技术领域
本实用新型涉及一种电磁兼容优化装置,具体而言涉及一种有源钳位反激电路中的电磁兼容优化装置。
背景技术
随着电源技术的不断进步,高频化的技术应用越来越广,频率设计越高,变压器和电容可以往小型化方向选择,进一步减小充电器尺寸,但带来的负面影响就是电磁兼容EMC(Electro Magnetic Compatibility)的处理更困难。
为解决电磁兼容EMC问题,往往需要更多的电磁兼容EMC抑制器件,这对空间和成本是个挑战。为解决这个问题,需要采用新的技术,同时配合新的外围器件。
因此,鉴于上述技术问题的存在,有必要提出提高一种电磁兼容优化装置。
实用新型内容
在实用新型内容部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本实用新型的实用新型内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
针对现有技术的不足,本实用新型一方面提供了一种电磁兼容优化装置,包括:钳位电路和屏蔽装置;所述钳位电路包括电容、电阻和晶体管,其中,所述晶体管为氮化镓场效应晶体管,所述屏蔽装置包括金属屏蔽片,其中,所述金属屏蔽片包括至少一个接地点。
进一步地,所述电磁兼容优化装置包括PCB,所述钳位电路设置于所述PCB上。
进一步地,还包括有源钳位反激控制器,所述控制器连接于所述氮化镓场效应晶体管,且所述控制器为抖频控制器,所述控制器设置于所述PCB上。
进一步地,还包括绝缘胶体,所述绝缘体至少部分位于所述PCB与所述金属屏蔽片之间。
进一步地,所述金属屏蔽片的一端插入所述绝缘体中。
进一步地,所述绝缘体为绝缘胶带。
进一步地,所述接地点为三个。
进一步地,所述接地点中的一部分位于所述金属屏蔽片和所述绝缘胶带的重合部分。
进一步地,所述接地点中的一部分位于所述金属屏蔽片和所述绝缘胶带的未重合部分。
进一步地,所述接地点电连接到所述PCB的地线上。
由于本实用新型在ACF控制中加入抖频方式,并在初级控制电路部分,贴上金属屏蔽片,并选用多点接地方式,有效解决EMC问题。
附图说明
本实用新型的下列附图在此作为本实用新型的一部分用于理解本实用新型。附图中示出了本实用新型的实施例及其描述,用来解释本实用新型的原理。
附图中:
图1示出了本实用新型一个实施例的反激电路模块的结构示意图;
图2示出了本实用新型一个实施例产品的俯视示意图;
图3示出了本实用新型一个实施例产品的剖面示意图。
附图标记说明:
201 ACF控制器
203 第一氮化镓场效应晶体管
204 第二氮化镓场效应晶体管
301 PCB
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H02M1-00 变换装置的零部件
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H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
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