[实用新型]一种电磁兼容优化装置有效
| 申请号： | 202020383206.8 | 申请日： | 2020-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN211701846U | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 马超 | 申请（专利权）人： | 安克创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/44 | 分类号： | H02M1/44;H02M3/335 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市高新开发区尖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电磁 兼容 优化 装置 | ||
1.一种电磁兼容优化装置，其特征在于，包括：
钳位电路和屏蔽装置；
所述钳位电路包括电容、电阻和晶体管，
其中，所述晶体管为氮化镓场效应晶体管，
所述屏蔽装置包括金属屏蔽片，
其中，所述金属屏蔽片包括至少一个接地点。
2.如权利要求1所述的电磁兼容优化装置，其特征在于，所述电磁兼容优化装置包括PCB，所述钳位电路设置于所述PCB上。
3.如权利要求2所述的电磁兼容优化装置，其特征在于，还包括有源钳位反激控制器，所述控制器连接于所述氮化镓场效应晶体管，且所述控制器为抖频控制器，所述控制器设置于所述PCB上。
4.如权利要求2所述的电磁兼容优化装置，其特征在于，还包括绝缘体，所述绝缘体至少部分位于所述PCB与所述金属屏蔽片之间。
5.如权利要求4所述的电磁兼容优化装置，其特征在于，所述金属屏蔽片的一端插入所述绝缘体中。
6.如权利要求4或5所述的电磁兼容优化装置，其特征在于，所述绝缘体为绝缘胶带。
7.如权利要求1所述的电磁兼容优化装置，其特征在于，所述接地点为三个。
8.如权利要求6所述的电磁兼容优化装置，其特征在于，所述接地点中的一部分位于所述金属屏蔽片和所述绝缘胶带的重合部分。
9.如权利要求6所述的电磁兼容优化装置，其特征在于，所述接地点中的一部分位于所述金属屏蔽片和所述绝缘胶带的未重合部分。
10.如权利要求2所述的电磁兼容优化装置，其特征在于，所述接地点电连接到所述PCB的地线上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安克创新科技股份有限公司，未经安克创新科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020383206.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种批量手表综合性能测试设备
- 下一篇：一种新型摆锤式冲击试验装置
- 同类专利
- 专利分类
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
