[实用新型]一种碳化硅功率二极管有效
| 申请号： | 202020371789.2 | 申请日： | 2020-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN211350654U | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 陈道坤;史波;曾丹;马颖江 | 申请（专利权）人： | 珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/868;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 刘红彬 |
| 地址： | 519015 广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 功率 二极管 | ||
1.一种碳化硅功率二极管，其特征在于，包括：
衬底；
形成于所述衬底一侧表面的漂移层，所述漂移层远离所述衬底的表面具有有源区，所述有源区包括间隔的多个第一P+注入区和间隔的多个第二P+注入区，各所述第一P+注入区的结深大于各所述第二P+注入区的结深，且所述漂移层上各所述第一P+注入区背离所述衬底的一侧均为豁口结构；
与所述第一P+注入区一一对应的第一欧姆金属层，各所述第一欧姆金属层位于对应的所述豁口结构中，并与对应的所述第一P+注入区欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的碳化硅功率二极管，其特征在于，所述漂移层远离所述衬底的表面具有场限环终端区，所述场限环终端区的表面低于所述有源区的表面。
3.根据权利要求2所述的碳化硅功率二极管，其特征在于，所述场限环终端区的表面较所述有源区的表面低0.2-1.5微米。
4.根据权利要求2所述的碳化硅功率二极管，其特征在于，所述场限环终端区的表面具有间隔的多个第三P+注入区。
5.根据权利要求4所述的碳化硅功率二极管，其特征在于，所述第一P+注入区靠近所述衬底的一面与所述第三P+注入区靠近所述衬底的一面位于同一平面内，且该平面与所述衬底平行。
6.根据权利要求1所述的碳化硅功率二极管，其特征在于，所述第一P+注入区在平行于所述衬底的平面上的截面的面积大于所述第二P+注入区在平行于所述衬底的平面上的截面的面积。
7.根据权利要求1-6任一项所述的碳化硅功率二极管，其特征在于，所述第一欧姆金属层包括Ti/Al叠层、Ni/Al叠层或者Ti/Ni/Al叠层。
8.根据权利要求1-6任一项所述的碳化硅功率二极管，其特征在于，所述第一欧姆金属层的厚度为10-500纳米。
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