[实用新型]具有双对称零点的耦合结构及高抑制介质波导滤波器

说明书

本实用新型涉及一种具有双对称零点的耦合结构及高抑制介质波导滤波器，其中，耦合结构包括介质基体，介质基体的上表面沿中轴线对称设置有两个第一谐振腔，介质基体的上表面设有第二谐振腔，介质基体的侧边位于所述第一谐振腔和第二谐振腔之间设有第一贯通槽，两个第一谐振腔之间设有两个第二贯通槽，两所述第二贯通槽之间形成有耦合口，位于同一侧的两个所述第二谐振腔之间设有第三谐振腔，所述第三谐振腔与所述耦合口相对应。本实用新型通过采用8个谐振腔，形成两对对称平衡性传输零点，在谐振腔数量有限的基础上大大提高了滤波器的抑制性能，同时本方案可广泛引用于介质波导滤波器，从而能够缩减滤波器尺寸的同时提高通带的抑制度。

技术领域

本实用新型涉及电子通讯技术领域，特别涉及一种具有双对称零点的耦合结构及高抑制介质波导滤波器。

背景技术

随着通信系统的飞速发展，5G通信技术为行业带来了新的技术推动，传统的金属滤波器已无法满足小型化、低成本等新要求，从而衍生出了介质波导滤波器。目前的介质波导滤波器通常近在通带的两侧产生一组对称的传输零点，滤波器的抑制能力仍存在不足。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种具有双对称零点的耦合结构及高抑制介质波导滤波器，具有缩小滤波器尺寸、提高抑制能力的优点。

为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：

一种具有双对称零点的耦合结构，包括呈矩形设置的介质基体，所述介质基体的上表面沿中轴线对称设置有两个第一谐振腔，所述介质基体的上表面的一侧设有第二谐振腔，所述介质基体的侧边位于所述第一谐振腔和所述第二谐振腔之间设有第一贯通槽，两个所述第一谐振腔之间设有两个第二贯通槽，两所述第二贯通槽之间形成有耦合口，位于同一侧的两个所述第二谐振腔之间设有第三谐振腔，所述第三谐振腔与所述耦合口相对应；位于同一侧的所述第一谐振腔和所述第二谐振腔之间形成第一主耦合，两所述第一主耦合之间形成第一交叉耦合，两所述第二谐振腔之间设有第四谐振腔，所述第四谐振腔形成第二主耦合；位于同一侧的所述第一谐振腔和所述第三谐振腔之间形成有第三主耦合，两所述第三主耦合之间形成有第二交叉耦合。

作为本实用新型的一种优选方案，所述第一主耦合和所述第二主耦合为感性耦合。

作为本实用新型的一种优选方案，所述第二主耦合为容性耦合。

作为本实用新型的一种优选方案，其中一所述第三主耦合为容性耦合。

作为本实用新型的一种优选方案，所述第三谐振腔的轴心连线偏离所述耦合口的中心，且靠近所述介质基体的中心。

作为本实用新型的一种优选方案，所述第三谐振腔的轴心连线偏离所述耦合口的中心，且靠近所述介质基体的外端。

作为本实用新型的一种优选方案，所述介质基体的外侧设有金属屏蔽层。

另一方面，本实用新型还提供一种高抑制介质波导滤波器，包括上述任一技术方案所述的耦合结构。

综上所述，本实用新型具有如下有益效果：

本实用新型通过采用8个谐振腔，形成两对对称平衡性传输零点，在谐振腔数量有限的基础上大大提高了滤波器的抑制性能，同时本方案可广泛引用于介质波导滤波器，从而能够缩减滤波器尺寸的同时提高通带的抑制度。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例一的结构示意图。

图2为本实用新型实施例一的原理图。