[实用新型]具有双对称零点的耦合结构及高抑制介质波导滤波器

权利要求书

1.一种具有双对称零点的耦合结构，其特征在于，包括呈矩形设置的介质基体，所述介质基体的上表面沿中轴线对称设置有两个第一谐振腔，所述介质基体的上表面的一侧设有第二谐振腔，所述介质基体的侧边位于所述第一谐振腔和所述第二谐振腔之间设有第一贯通槽，两个所述第一谐振腔之间设有两个第二贯通槽，两所述第二贯通槽之间形成有耦合口，位于同一侧的两个所述第二谐振腔之间设有第三谐振腔，所述第三谐振腔与所述耦合口相对应；位于同一侧的所述第一谐振腔和所述第二谐振腔之间形成第一主耦合，两所述第一主耦合之间形成第一交叉耦合，两所述第二谐振腔之间设有第四谐振腔，所述第四谐振腔形成第二主耦合；位于同一侧的所述第一谐振腔和所述第三谐振腔之间形成有第三主耦合，两所述第三主耦合之间形成有第二交叉耦合。

2.根据权利要求1所述的具有双对称零点的耦合结构，其特征在于，所述第一主耦合和所述第二主耦合为感性耦合。

3.根据权利要求2所述的具有双对称零点的耦合结构，其特征在于，所述第二主耦合为容性耦合。

4.根据权利要求3所述的具有双对称零点的耦合结构，其特征在于，其中一所述第三主耦合为容性耦合。

5.根据权利要求4所述的具有双对称零点的耦合结构，其特征在于，所述第三谐振腔的轴心连线偏离所述耦合口的中心，且靠近所述介质基体的中心。

6.根据权利要求4所述的具有双对称零点的耦合结构，其特征在于，所述第三谐振腔的轴心连线偏离所述耦合口的中心，且靠近所述介质基体的外端。

7.根据权利要求5或6所述的具有双对称零点的耦合结构，其特征在于，所述介质基体的外侧设有金属屏蔽层。

8.一种高抑制介质波导滤波器，其特征在于，包括权利要求1至7中任一项所述的耦合结构。