[实用新型]可控硅均流测量装置有效

专利信息
申请号: 202020285944.9 申请日: 2020-03-10
公开(公告)号: CN212180960U 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 黄叙业;兰广东;曲维 申请(专利权)人: 大唐鸡西第二热电有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R31/28
代理公司: 哈尔滨东方专利事务所 23118 代理人: 陈晓光
地址: 158150 黑龙江省*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 可控硅 测量 装置
【说明书】:

本实用新型涉及一种可控硅均流测量装置。目前,由于发电机组励磁整流柜中每个可控硅工作在间断导通状态,输出的是间断的脉冲直流电流,无法用传统的电流互感器进行间接测量,无法实时监测各个可控硅的电流值。一种可控硅均流测量装置,其组成包括:变压器低压绕组Ua(1)、变压器低压绕组Ub(2)和变压器低压绕组Uc(3),变压器低压绕组Ua、变压器低压绕组Ub和变压器低压绕组Uc接入到可控硅三相整流电路,可控硅三相整流电路分成三个支路,其中变压器低压绕组Ua与第一支路连接,变压器低压绕组Ub和变压器低压绕组Uc分别与第三支路连接。本实用新型应用于可控硅均流测量装置。

技术领域:

本实用新型涉及一种可控硅均流测量装置。

背景技术:

目前,电站中大中型发电机组转子励磁电流一般都采用自并励可控硅静态整流方式,一般都是由连接在发电机端的降压变压器低压侧三相电压Ua、Ub、Uc接入可控硅整流电路,可控硅整流电路将三相交流电压Ua、Ub、Uc整流成直流U+U-后输入发电机转子绕组进行励磁,为了保证各个可控硅支路输出电流的均衡性,中华人民共和国国家标准GB/T7409规定其可控硅输出的均流系数应不小于0.85,但是在线监测各个可控硅支路中的电流却是一个长期无法解决的难题。

由于发电机组励磁整流柜中每个可控硅工作在间断导通状态,输出的是间断的脉冲直流电流,无法用传统的电流互感器进行间接测量,无法实时监测各个可控硅的电流值,只能用示波器整体检测整流柜输出波形,该项工作危险系数极高,极容易造成整流柜短路和示波器烧损。且无法检测各可控硅支路输出电流值的,容易造成单一可控硅过载或欠载。无法计算各个可控硅支路间的均流系数,只能根据输出波形进行大致估算。

发明内容:

本实用新型的目的是提供一种可控硅均流测量装置,能够间接测量计算出发电机组励磁整流柜中可控硅支路间均流系数。

上述的目的通过以下的技术方案实现:

一种可控硅均流测量装置,其组成包括:变压器低压绕组Ua、变压器低压绕组Ub和变压器低压绕组Uc,所述的变压器低压绕组Ua、所述的变压器低压绕组Ub和所述的变压器低压绕组Uc接入到可控硅三相整流电路,所述的可控硅三相整流电路中的第一支路由R1保护可控硅熔断器、R2保护可控硅熔断器、D1整流用可控硅和D2整流用可控硅通过导线串联连接,所述的可控硅三相整流电路中的第二支路由R3保护可控硅熔断器、R4保护可控硅熔断器、D3整流用可控硅和D4整流用可控硅通过导线串联连接,所述的可控硅三相整流电路中的第三支路由R5保护可控硅熔断器、R6保护可控硅熔断器、D5整流用可控硅和D6整流用可控硅通过导线串联连接。

所述的可控硅均流测量装置,所述的变压器低压绕组Ua与第一支路连接,所述的变压器低压绕组Ub和所述的变压器低压绕组Uc分别与第三支路连接。

所述的可控硅均流测量装置,当所述的变压器低压绕组Ua、所述的变压器低压绕组Ub和所述的变压器低压绕组Uc接入可控硅整流电路中,可控硅整流电路将三相交流电压Ua、Ub、Uc整流成直流U+U-后输入发电机转子绕组进行励磁。

本实用新型的有益效果:

1.本实用新型在降压变压器低压侧三相电压UaUbUc接入可控硅整流电路,可控硅整流电路将三相交流电压UaUbUc整流成直流U+U-后输入发电机转子绕组进行励磁,将R1,R2,R3,R4,R5,R6为串联在D1,D2,D3,D4,D5,D6可控硅支路中的熔断器,以上各个元件通过导线连接,组成可控硅三相整流电路,整流后输出U+U-锯齿波型直流电压。

本实用新型为了能够在线计算出运行中的各个可控硅支路载流是否均衡,本新型在机组启动前测出串接在各可控硅支路中的熔断器R1、R2、R3、R4、R5、R6的电阻值并做好记录,待发电机组启动发电时,在线测量各个熔断器R1、R2、R3、R4、R5、R6上各自的电压降,根据欧姆定律即可计算出每支熔断器的载荷电流。做到了在线测量并计算各可控硅支路载荷电流和各可控硅支路间的均流系数。

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