[实用新型]可控硅均流测量装置

权利要求书

1.一种可控硅均流测量装置，其组成包括：变压器低压绕组Ua、变压器低压绕组Ub和变压器低压绕组Uc，其特征是：所述的变压器低压绕组Ua、所述的变压器低压绕组Ub和所述的变压器低压绕组Uc接入到可控硅三相整流电路，所述的可控硅三相整流电路中的第一支路由R1保护可控硅熔断器、R2保护可控硅熔断器、D1整流用可控硅和D2整流用可控硅通过导线串联连接，所述的可控硅三相整流电路中的第二支路由R3保护可控硅熔断器、R4保护可控硅熔断器、D3整流用可控硅和D4整流用可控硅通过导线串联连接，所述的可控硅三相整流电路中的第三支路由R5保护可控硅熔断器、R6保护可控硅熔断器、D5整流用可控硅和D6整流用可控硅通过导线串联连接。

2.根据权利要求1所述的可控硅均流测量装置，其特征是：所述的变压器低压绕组Ua与第一支路连接，所述的变压器低压绕组Ub和所述的变压器低压绕组Uc分别与第三支路连接。