[实用新型]封装固体高纯金属有机化合物的容器

说明书

本实用新型涉及封装固体高纯金属有机化合物的容器，瓶体内设置有烧结片，将内腔分隔为上腔以及下腔，上腔的容积大于下腔的容积；瓶体顶部具有加料口，加料口与上腔连通；进气管进入到上腔与其连通，其进气口具有用于对载气气流导向的气流导向结构；出气管进入到下腔与其连通。应用于MOCVD时，使载气与固体源有极大的接触面积，出气管中可得到饱和稳定的蒸气压，能够提供稳定、饱和的蒸气用于MOCVD制程设备，不仅满足后道气相沉积工序的工艺要求，较大增加载气与固体源接触的表面积，使得容器内固体源的利用率显著提高。

技术领域

本实用新型涉及一种封装固体高纯金属有机化合物的容器。

背景技术

目前，高纯三甲基铟等固体金属有机化合物，是金属有机气相沉积技术(MOCVD)、化学外延(CBE)过程中生长光电子材料的重要原料，广泛地应用于生长磷化铟(InP)、磷化铝铟镓(AlGaInP)等化合物半导体薄膜材料，其优异的电学、光学和磁学等性能，可将半导体和集成电路推向更高的频率、更快的速度、更低的噪音和更大的功率。因此固体MO源已被大量用于LED、太阳能电池、航空航天技术等多个领域。纯净的三甲基铟/二茂基镁室温下为固体，当用于MOCVD时需要将该固体源封装在钢瓶内，然后控制钢瓶温度，再通过持续流动的载气，将在使用温度下气- 固平衡状态气相中的三甲基铟/二茂基镁带入MOCVD或CBE生长系统。

实际使用中发现，现在市场上所使用的大部分固体高纯金属有机化合物封装容器，瓶体中只有一个腔室，进气管从瓶体顶部插入后垂直向下，载气气流通过进气管后直接冲击固体源，会使得位于进气口下方的固体源消耗速度较其他位置快，因此会出现沟流现象，沟流现象的出现会使载气所携带的源浓度降低，造成固体源的饱和蒸气压不稳定，影响外延片的质量，导致客户更换源的周期减短，造成源的浪费。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术存在的不足，提供一种封装固体高纯金属有机化合物的容器。

本实用新型的目的通过以下技术方案来实现：

封装固体高纯金属有机化合物的容器，包括瓶体、进气管以及出气管，特点是：所述瓶体内设置有烧结片，将内腔分隔为上腔以及下腔，上腔的容积大于下腔的容积；瓶体顶部具有加料口，加料口与上腔连通；进气管进入到上腔与其连通，其进气口具有用于对载气气流导向的气流导向结构；出气管进入到下腔与其连通。

进一步地，上述的封装固体高纯金属有机化合物的容器，其中，所述气流导向结构为一用以将气流导向瓶体顶部的向上弯曲部，或者为一用以将气流导向瓶体内侧壁的向内侧壁偏折部，或者为一水平弯曲部，或者为一设置于进气口下方的挡板。

进一步地，上述的封装固体高纯金属有机化合物的容器，其中，向上弯曲部的出口方向与进气管的载气气流进入流向呈一夹角，夹角角度为90 °～180°，与向上弯曲部的出口正对的瓶体顶部的底面区域为平面、曲面、或者平面与曲面结合的形状。

进一步地，上述的封装固体高纯金属有机化合物的容器，其中，向内侧壁偏折部的出口方向与进气管的载气气流进入流向呈一夹角，夹角角度为45°～90°。

进一步地，上述的封装固体高纯金属有机化合物的容器，其中，水平弯曲部为沿着内侧壁的弧形管，弧形管的末端设置出口，或者弧形管上分散设置出口，出口朝向瓶体顶部，与出口正对的瓶体顶部的底面区域为平面、曲面、或者平面与曲面结合的形状。

进一步地，上述的封装固体高纯金属有机化合物的容器，其中，于进气口下方的0～3cm处设置一挡板，挡板为平面形状、向上曲面形状或者向下曲面形状。

进一步地，上述的封装固体高纯金属有机化合物的容器，其中，上腔与下腔的容积比不小于10:1。

进一步地，上述的封装固体高纯金属有机化合物的容器，其中，上腔与下腔的容积比为10:1～20:1。