[实用新型]薄型化光学指纹识别装置有效
| 申请号: | 202020274906.3 | 申请日: | 2020-03-09 |
| 公开(公告)号: | CN211480030U | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
| 发明(设计)人: | 郝志;张宜;杨振国;刘文涛;焉逢运;程泰毅 | 申请(专利权)人: | 上海思立微电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G06K9/00 |
| 代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 徐颖聪 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄型化 光学 指纹识别 装置 | ||
本申请公开一种薄型化光学指纹识别装置,该装置包括:微透镜阵列、吸光层及光检测阵列;吸光层位于光检测阵列与微透镜阵列之间。此光检测阵列内设置有第一开孔层,微透镜阵列中微透镜的焦点落在第一开孔层中设置的第一开孔附近。通过将微透镜阵列的焦点面设置于光检测阵列内中的第一开孔层或第一开孔层附近,利用了光检测阵列的部分厚度作为微透镜阵列焦距的部分距离,实现光学指纹识别装置整体厚度的薄型化。吸光层在吸收光检测阵列反射回来的干扰信号光同时,亦可通过第二开孔实现光阑的作用去除微透镜与微透镜之间的干扰而提升光学指纹识别装置的成像质量。本申请的薄型化光学指纹识别装置在实现薄型化的同时还可提升光学指纹识别装置的性能。
技术领域
本申请涉及指纹识别技术领域,尤其涉及一种薄型化光学指纹识别装置。
背景技术
本部分的描述仅提供与本申请公开相关的背景信息,而不构成现有技术。
目前,光学指纹识别主要采用CIS(CMOSImageSensor,CMOS图像传感器)的成像原理,通过对生物指纹进行信号采取,并最终成像。将所成的图像与已经存储的图像进行对比,从而鉴别生物指纹相关的信息。
随着手机屏下指纹识别的需求不断增加,对于光学指纹装置的要求也越来越多样,其中随着手机日趋轻薄化,从手指按压手机屏表面到光学芯片的指纹采集区的距离也越来越短,传统的镜头方案的光学指纹模组由于其自身光程的限制,无法制作的特别薄。
如何实现光学指纹装置的薄型化,同时提高其成像质量,是亟需解决的问题。
应该注意,上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明,并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
发明内容
鉴于上述不足,本申请的一个目的是提供一种薄型化光学指纹识别装置,以能够实现光学识别装置薄型化的前提下,也使得该薄型化指纹识别装置的成像质量也得到一定的提高。
为达到上述目的,本申请采用如下技术方案:
一种薄型化光学指纹识别装置,设置于检测区域下方。该薄型化光学指纹识别装置主体包括:微透镜阵列,设有若干微透镜,聚集从检测区域朝向微透镜阵列反射回来携带指纹信息的光信号;吸光层,设置有起光阑和吸光作用的第二开孔,设置于微透镜阵列下方;光检测阵列,设置于吸光层下方,光检测阵列设有感光区域、第一开孔层和若干层金属层;感光区域包含若干个光电转换器件,第一开孔层设置有若干第一开孔,且和若干层金属层中一层金属位于同一层,第一开孔与微透镜一一对应;微透镜的焦点落在第一开孔或靠近第一开孔;第一开孔层在感光区域的投影覆盖光电转换器件的感光部分;其中,
携带指纹信号的光信号至少经过微透镜阵列中微透镜聚集后,经过第二开孔后进入光检测阵列,聚焦于与微透镜对应的所述第一开孔内或附近,透过第一开孔后到达光电转换器件的感光部分接收。
以上薄型化光学指纹识别装置,将第一开孔层设置于光检测阵列之中,并与光检测阵列中的金属层位于一层。因此微透镜阵列至第一开孔层之间的焦距可以利用光检测阵列自身的部分厚度,相比于将第一开孔层设置于光剑测阵列之上的光学指纹识别装置可以制作得更薄。
进一步的,该薄型化光学指纹识别装置还包括:滤光层,该滤光层设置于光检测阵列表面,滤除非目标波段的光信号。对于该薄型化光学指纹识别装置不同的应用场景,利于检测指纹的激励光信号若为可见光,则滤光层的设置则是滤除可见光波段之外波段的光,防止可见光波段之外的光对光检测阵列的成像造成干扰。对于该薄型化指纹识别装置应用于像液晶显示这样背光模组下时,激励光源常为红外光源,因此该滤光层可以滤除红外光波段范围之外的光,避免红外波段之外的光对光检测阵列的成像造成干扰。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





