[实用新型]一种直拉硅单晶用炉盖

说明书

本实用新型提供一种直拉硅单晶用炉盖，包括盖体，在所述盖体靠近晶体一侧设有用于防止所述盖体直接长时间暴露在高温环境下形成游离的金属离子的叠层内衬，所述叠层内衬设置在所述盖体内壁并沿所述盖体径向圆周设置。本实用新型提出的炉盖，是在盖体内侧涂覆一叠层内衬，即能保护炉盖内壁结构，又能防止炉盖内壁形成一层金属离子，提高炉盖的使用寿命，提高直拉单晶晶体品质。

技术领域

本实用新型属于直拉硅单晶设备制造技术领域，尤其是涉及一种直拉硅单晶用炉盖。

背景技术

现有单晶炉设备的炉盖及炉桶、副室都是不锈钢材料，并且在设备运行过程中炉盖、炉桶、副室的内壁都是暴露在炉体内部的一个高温状态下。尤其是单晶炉炉盖，与炉体内的气氛接触的空间及结构更多，使得在炉盖内壁被高温气体连续喷射接触，就会导致金属离子的游走、扩散在炉盖内壁表面，长时间接触会把炉盖内壁氧化腐蚀一层膜，形成金属物，金属物被气流带动极易从晶体与导流筒之间的空隙处落入熔硅中，进而导致熔硅中含有的金属杂质增加，致使晶体品质受到影响，性能参数不佳，成本加大。

因此如何解决防止炉盖内壁在高温环境下极易被氧化形成游走的金属离子的技术问题，同时提高单晶晶体质量、提高生产效率是高质量、低成本加工直拉单晶生产的关键。

实用新型内容

本实用新型提供一种直拉硅单晶用炉盖，解决了现有技术中炉盖内壁在高温环境下极易被氧化形成游走的金属离子的技术问题，本实用新型提出的炉盖，能保护炉盖内壁结构，防止炉盖内壁形成一层金属离子，提高炉盖的使用寿命，提高直拉单晶晶体品质。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：

一种直拉硅单晶用炉盖，包括盖体，在所述盖体靠近晶体一侧设有用于防止所述盖体直接长时间暴露在高温环境下形成游离的金属离子的叠层内衬，所述叠层内衬设置在所述盖体内壁并沿所述盖体径向圆周设置。

进一步的，所述叠层内衬至少包括所述盖体位于水冷套上端口正上方一侧的区域。

进一步的，所述叠层内衬还包括置于导流筒斜上方且沿水冷套外壁方向与所述盖体交叉的区域。

进一步的，所述叠层内衬包括所述盖体内壁所有区域。

进一步的，所述叠层内衬包括内涂层和外涂层，所述内涂层靠近所述盖体设置，所述外涂层置于所述内涂层远离所述盖体一侧设置。

进一步的，所述内涂层和所述外涂层与所述盖体内壁相适配，均为环形结构。

进一步的，所述内涂层厚度大于所述外涂层厚度。

进一步的，所述内涂层厚度为30-50mm

进一步的，所述外涂层厚度为10-20mm。

进一步的，所述内涂层为二氧化硅涂层；所述外涂层为氢氧化钡涂层。

与现有技术相比，本实用新型设计的炉盖，是在盖体内壁增加一耐高温的非金属叠层内衬，不仅可有效减少在高温运行过程中，炉盖不锈钢盖体内壁被高温热气流所腐蚀氧化形成游离扩散的金属离子，可有效的提高单晶品质。本实用新型增加的非金属叠层内衬可以防止不锈钢盖体直接暴露在炉内的高温环境下，减少了不锈钢金属离子直接扩散到单晶硅棒中的概率。由于耐高温的非金属叠层内衬的热传导性较差，可以起到一定的保温作用，避免热量直接与不锈钢金属材料盖体内壁接触并传到流失，所以也可有效起到降低功耗的作用，降低运行成本。

附图说明

图1是本实用新型一实施例的使用该炉盖的单晶炉的结构示意图；

图2是本实用新型实施例一的炉盖中叠层内衬的结构示意图；

图3是本实用新型实施例二的炉盖中叠层内衬的结构示意图；