[实用新型]一种具有DBR绝缘保护的出光均匀LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种具有DBR绝缘保护的出光均匀LED芯片，包括衬底、设于衬底正面的发光结构、设于发光结构上的第一DBR反射层、以及设于衬底背面的第二DBR反射层，所述第一DBR反射层为单堆结构，所述第二DBR反射层为多堆结构，发光结构发出的光经过第一DBR反射层和第二DBR反射层反射后，芯片正向及侧向发光强度趋于相同。本实用新型通过第一DBR反射层和第二DBR反射层的相互配合，减少芯片向上及向下出光，增加芯片侧向出光，以使芯片正向及侧向发光强度趋于相同。此外，本实用新型的第一DBR反射层覆盖在发光结构正面还可以作为保护层，从而节省一道氧化硅绝缘层沉积工艺，进而缩短制程时间及节约制造成本。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种具有DBR绝缘保护的出光均匀LED芯片。

背景技术

LED作为新一代的固态光源，具有节能环保、高光效、使用寿命长、稳定性高等优点。在背光应用领域，LED由于其自身高光电转换效率、体积小、绿色环保，而有望逐渐取代冷阴极灯管成为液晶显示屏中的重要组成部分。将正装LED芯片用于背光显示应用，由于其正向及侧向发光强度不同，会导致在背光显示中出现明暗点阵，从而影响最终的显示效果。

此外，现有的LED芯片为了防止水汽进入，需要在芯片的表面沉积一层氧化硅绝缘层来来保护芯片。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种具有DBR绝缘保护的出光均匀LED芯片，结构简单，芯片正向及侧向发光强度趋于相同。

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种具有DBR绝缘保护的出光均匀LED芯片的制作方法，结构简单，芯片正向及侧向发光强度趋于相同。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种具有DBR绝缘保护的出光均匀LED芯片，包括衬底、设于衬底正面的发光结构、设于发光结构上的第一DBR反射层、以及设于衬底背面的第二DBR反射层；

所述第一DBR反射层为单堆结构，所述第二DBR反射层为多堆结构；

所述第一DBR反射层的反射光谱中，反射率大于80％的波长宽度范围为150～350nm；

所述第二DBR反射层的反射光谱中，反射率大于95％的波长宽度范围为200～450nm；

发光结构发出的光经过第一DBR反射层和第二DBR反射层反射后，芯片正向及侧向发光强度趋于相同。

作为上述方案的改进，所述第二DBR反射层为三堆结构，依次包括第一堆结构、第二堆结构和第三堆结构，其中，第一堆结构的单堆光学厚度＞第二堆结构的单堆光学厚度＞第三堆结构的单堆光学厚度，其中，入射光线依次经过第一堆结构、第二堆结构和第三堆结构。

作为上述方案的改进，第一堆结构的各层光学厚度为(1.0～1.4)*λ，第二堆结构的各层光学厚度为(0.9～1.0)*λ，第三堆结构的各层光学厚度为(0.7～0.9)*λ，其中，λ为发光结构发出的光的中心波长的四分之一。

作为上述方案的改进，所述第一DBR反射层的各层光学厚度为λ。

作为上述方案的改进，所述第一堆结构、第二堆结构和第三堆结构均由若干个周期的反射膜组组成，所述反射膜组由第一膜层和第二膜层组成，其中，第一膜层的折射率与第二膜层的折射率不同。

作为上述方案的改进，所述第一堆结构由5～12个周期的反射膜组组，所述第二堆结构由5～12个周期的反射膜组组成，所述第三堆结构由5～12个周期的反射膜组组成。

作为上述方案的改进，所述第一DBR反射层由若干个周期的反射膜组组成，所述反射膜组由第一膜层和第二膜层组成，其中，第一膜层的折射率与第二膜层的折射率不同。

作为上述方案的改进，所述第一DBR反射层由2～10个周期的反射膜组组成。