[实用新型]一种具有DBR绝缘保护的出光均匀LED芯片

权利要求书

1.一种具有DBR绝缘保护的出光均匀LED芯片，其特征在于，包括衬底、设于衬底正面的发光结构、设于发光结构上的第一DBR反射层、以及设于衬底背面的第二DBR反射层；

所述第一DBR反射层为单堆结构，所述第二DBR反射层为多堆结构；

所述第一DBR反射层的反射光谱中，反射率大于80％的波长宽度范围为150～350nm；

所述第二DBR反射层的反射光谱中，反射率大于95％的波长宽度范围为200～450nm；

发光结构发出的光经过第一DBR反射层和第二DBR反射层反射后，芯片正向及侧向发光强度趋于相同。

2.如权利要求1所述的具有DBR绝缘保护的出光均匀LED芯片，其特征在于，所述第二DBR反射层为三堆结构，依次包括第一堆结构、第二堆结构和第三堆结构，其中，第一堆结构的单堆光学厚度＞第二堆结构的单堆光学厚度＞第三堆结构的单堆光学厚度，其中，入射光线依次经过第一堆结构、第二堆结构和第三堆结构。

3.如权利要求2所述的具有DBR绝缘保护的出光均匀LED芯片，其特征在于，第一堆结构的各层光学厚度为(1.0～1.4)*λ，第二堆结构的各层光学厚度为(0.9～1.0)*λ，第三堆结构的各层光学厚度为(0.7～0.9)*λ，其中，λ为发光结构发出的光的中心波长的四分之一。

4.如权利要求3所述的具有DBR绝缘保护的出光均匀LED芯片，其特征在于，所述第一DBR反射层的各层光学厚度为λ。

5.如权利要求2所述的具有DBR绝缘保护的出光均匀LED芯片，其特征在于，所述第一堆结构、第二堆结构和第三堆结构均由若干个周期的反射膜组组成，所述反射膜组由第一膜层和第二膜层组成，其中，第一膜层的折射率与第二膜层的折射率不同。

6.如权利要求5所述的具有DBR绝缘保护的出光均匀LED芯片，其特征在于，所述第一堆结构由5～12个周期的反射膜组组，所述第二堆结构由5～12个周期的反射膜组组成，所述第三堆结构由5～12个周期的反射膜组组成。

7.如权利要求1所述的具有DBR绝缘保护的出光均匀LED芯片，其特征在于，所述第一DBR反射层由若干个周期的反射膜组组成，所述反射膜组由第一膜层和第二膜层组成，其中，第一膜层的折射率与第二膜层的折射率不同。

8.如权利要求7所述的具有DBR绝缘保护的出光均匀LED芯片，其特征在于，所述第一DBR反射层由2～10个周期的反射膜组组成。

9.如权利要求5或7所述的具有DBR绝缘保护的出光均匀LED芯片，其特征在于，所述第一膜层的材料为氧化硅、氧化钛、氧化铪、氟化镁、氧化钇、硫化锌、氧化锆和氮化硅中的一种，所述第二膜层的材料为氧化硅、氧化钛、氧化铪、氟化镁、氧化钇、硫化锌、氧化锆和氮化硅中的一种。

10.如权利要求9所述的具有DBR绝缘保护的出光均匀LED芯片，其特征在于，在第一DBR反射层中，第一膜层的材料为氧化钛，所述第二膜层的材料为氧化硅。