[实用新型]一种利用差分抽气系统实现超高真空蒸镀的装置

说明书

本实用新型提供了一种利用差分抽气系统实现超高真空蒸镀的装置，包括：炉源区和样品区；炉源区包括炉源区腔体、蒸发源和炉源区真空泵；蒸发源设置在炉源区腔体内部并固定在炉源区腔体的内壁上；炉源区真空泵连接炉源区腔体；样品区包括样品区腔体、衬底台、样品区真空泵和差分限流通道；衬底台从样品区腔体的上方或者侧面插入样品区腔体内；样品区真空泵设置在样品区腔体内部并固定在样品区腔体的内壁上；差分限流通道设置在炉源区与样品区的连接处；炉源区腔体与样品区腔体之间通过差分限流通道相连。本实用新型的有益效果：可减少蒸发源附近的真空度随气体的增多而降低而导致镀膜质量下降。

技术领域

本实用新型涉及蒸镀装置领域，特别涉及一种利用差分抽气系统实现超高真空蒸镀的装置。

背景技术

真空蒸镀是指在真空条件下，利用加热蒸发物料，使物料粒子在基底上沉积成膜的技术。其中分子束外延法是在超高真空条件下，将物料元素的分子束流直接喷到衬底表面，从而在其上形成外延层，能生长极薄的单晶薄膜，且能精准控制膜厚。真空度是超高真空镀膜系统的重要指标，真空不仅可为薄膜生长提供超洁净环境，还可提高分子运动自由程，实现高质量镀膜。因此真空度是镀膜系统的重要指标之一。

在传统的蒸镀系统中，在加热膜材料使之汽化产生原子束或分子束时，蒸发源往往会加热到高温，尤其对于大多数金属材料，都要求加热到1000～2000℃。在加热的过程中，蒸发源附近的真空度会随着气体的增多而降低，这是因为气体分子间的散射加强，并且物料分子或原子会加强和残余气体分子的撞击，进而影响镀膜质量。

故市场亟需一种可以在真空条件下，可以减少由于蒸发源附近的真空度随气体的增多而降低从而导致镀膜质量下降的装置。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型中披露了一种利用差分抽气系统实现超高真空蒸镀的装置，本实用新型的技术方案是这样实施的：

一种利用差分抽气系统实现超高真空蒸镀的装置，其特征在于，包括：炉源区1和样品区2；所述炉源区1包括炉源区腔体3、蒸发源5和炉源区真空泵6；所述蒸发源5设置在所述炉源区腔体3内部并固定在所述炉源区腔体3的内壁上；所述炉源区真空泵6连接所述炉源区腔体3；所述样品区2包括样品区腔体4、衬底台7、样品区真空泵8；所述衬底台7从所述样品区腔体4的上方或者侧面插入所述样品区腔体4内；所述吸样品区真空泵8设置在所述样品区腔体4内部并固定在所述样品区腔体4的内壁上；所述差分限流通道9设置在所述炉源区1 与所述样品区2的连接处；所述炉源区腔体3与所述样品区腔体4之间通过所述差分限流通道9相连。

优选地，所述炉源区腔体3可选自包括圆柱形、矩形柱、多边形柱的一种。

优选地，所述炉源区腔体3包括蒸发源5凸起和炉源区真空泵6凸起；所述蒸发源5设置在所述蒸发源5凸起内；所述炉源区真空泵6通过所述炉源区真空泵6凸起与所述炉源区腔体3内部相连。

优选地，所述样品区腔体4为可选自包括圆柱形、矩形柱、多边形柱的一种。

优选地，所述样品区腔体4包括样品区真空泵凸起；所述样品区真空泵凸起设置在所述样品区腔体4的一面上；所述样品区真空泵8设置在所述样品区真空泵凸起的内部并固定在所述样品区真空泵凸起上。

优选地，所述炉源区真空泵6选自包括牵引分子泵、涡轮分子泵和复合分子泵中的一种。所述样品区真空泵8可选自包括非蒸散型吸气泵、离子泵、复合泵和分子泵中的一种。

优选地，所述蒸发源5选自基于包括电阻加热、电子束加热、高频感应加热、电弧加热和激光加热的蒸发源5的一种。

优选地，所述蒸发源5的数量为一个或者多个的；所述差分限流通道9为一个或者多个的。

优选地，所述差分限流通道选自包括圆孔、方孔和V字形导管中的一种或者多种。