[实用新型]一种IO口高压保护电路

权利要求书

1.一种IO口高压保护电路，其特征在于，包括第一信号开关Q1、第二信号开关Q2、齐纳管D1，所述第二信号开关Q2的三个端分别与信号管脚T1、主板管脚T2、所述第一信号开关Q1连接，所述第二信号开关Q2与所述信号管脚T1之间连接电阻R3，所述第一信号开关Q1与所述第二信号开关Q2之间连接电阻R2，所述电阻R2的另一端连接电压VSG+VIO，所述第一信号开关Q1的一端接地、另一端通过连接第一电阻R1接地，所述齐纳管D1的正极与所述第一信号开关Q1的一端连接，所述齐纳管D1的负极与所述第二信号开关Q1的一端连接。

2.如权利要求1所述的一种IO口高压保护电路，其特征在于，所述第一信号开关Q1与所述第二信号开关Q2均为NMOS管；

所述第二信号开关Q2的D端通过电阻R3与信号管脚T1连接，所述第二信号开关Q2的S端与主板管脚T2连接，所述第二信号开关Q2的G端与所述第一信号开关Q1的D端连接并与电阻R2连接，所述第一信号开关Q1的S端接地，所述第一信号开关Q1的G端通过第一电阻R1接地，所述齐纳管D1的正极与所述第一信号开关Q1的G端连接，所述齐纳管D1的负极与所述第二信号开关Q1的D端连接。

3.如权利要求1所述的一种IO口高压保护电路，其特征在于，所述第一信号开关Q1与所述第二信号开关Q2均为NPN三极管；

所述第二信号开关Q2的C端通过电阻R3与信号管脚T1连接，所述第二信号开关Q2的E端与主板管脚T2连接，所述第二信号开关Q2的B端与所述第一信号开关Q1的C端连接并与电阻R2连接，所述第一信号开关Q1的E端接地，所述第一信号开关Q1的B端通过第一电阻R1接地，所述齐纳管D1的正极与所述第一信号开关Q1的B端连接，所述齐纳管D1的负极与所述第二信号开关Q1的C端连接。

4.如权利要求1-3任一项所述的一种IO口高压保护电路，其特征在于，所述主板管脚T2为主板芯片端对应管脚。