[实用新型]应用于SBD的新型分压环结构

说明书

本实用新型公开了一种应用于SBD的新型分压环结构，包括：背面金属层；位于背面金属层上的第一导电类型衬底；位于第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层；位于第一导电类型外延层上的场氧层；位于第一导电类型外延层内的第一浓度的第二导电类型深分压环；位于第一浓度的第二导电类型的深分压环内的第二浓度的第二导电类型浅分压环；位于第一导电类型外延层内的且位于第一浓度的第二导电类型深分压环围成的环形空间内的势垒层；位于场氧层和势垒层上的正面金属层。应用于SBD的新型分压环结构能够在第一导电类型外延层的材料不变的前提下，有效提高应用于SBD的新型分压环结构的耐压性能，在保证成本的同时提高产品的性价比。

技术领域

本实用新型涉及一种应用于SBD的新型分压环结构。

背景技术

SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。目前，常规的平面SBD产品均采用常规浓P+分压环结构，虽然工艺简单，但由于分压环是一个单纯的突变P+N-N+结构，分压效果不是很好。

实用新型内容

本实用新型提供了一种应用于SBD的新型分压环结构，采用如下的技术方案：

一种应用于SBD的新型分压环结构，包括：背面金属层；应用于SBD的新型分压环结构还包括：位于背面金属层上的第一导电类型衬底；位于第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层；位于第一导电类型外延层上的场氧层；位于第一导电类型外延层内的第一浓度的第二导电类型深分压环；位于第一浓度的第二导电类型的深分压环内的第二浓度的第二导电类型浅分压环；位于第一导电类型外延层内的且位于第一浓度的第二导电类型深分压环围成的环形空间内的势垒层；位于场氧层和势垒层上的正面金属层。

进一步地，第一导电类型为N型；第二导电类型为P型。

进一步地，第一浓度的第二导电类型深分压环为P-深分压环；第二浓度的第二导电类型浅分压环为P+浅分压环。

进一步地，第一导电类型衬底为N+衬底；第一导电类型外延层为N-外延层。

本实用新型的有益之处在于提供的应用于SBD的新型分压环结构在第一浓度的第二导电类型的深分压环内设置有具有第二浓度的第二导电类型浅分压环，这样能够在第一导电类型外延层的材料不变的前提下，有效提高应用于SBD的新型分压环结构的耐压性能，在保证成本的同时提高产品的性价比。

附图说明

图1是本实用新型的一种应用于SBD的新型分压环结构的示意图。

应用于SBD的新型分压环结构10，背面金属层11，第一导电类型衬底12，第一导电类型外延层13，场氧层14，第二导电类型深分压环15，第二导电类型浅分压环16，势垒层17，正面金属层18。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型作具体的介绍。

如图1所示，一种应用于SBD的新型分压环结构10，包括：背面金属层11；位于背面金属层11上的第一导电类型衬底12；位于第一导电类型衬底12上的第一导电类型外延层13；位于第一导电类型外延层13上的场氧层14；位于第一导电类型外延层13内的第一浓度的第二导电类型深分压环15；位于第一浓度的第二导电类型的深分压环内的第二浓度的第二导电类型浅分压环16；位于第一导电类型外延层13内的且位于第一浓度的第二导电类型深分压环15围成的环形空间内的势垒层17；位于场氧层14和势垒层17上的正面金属层18。其中，第一导电类型为N型；第二导电类型为P型；第一浓度的第二导电类型深分压环15为P-深分压环；第二浓度的第二导电类型浅分压环16为P+浅分压环；第一导电类型衬底12为N+衬底；第一导电类型外延层13为N-外延层。