[实用新型]应用于SBD的新型分压环结构有效
| 申请号： | 202020165087.9 | 申请日： | 2020-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN211295106U | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 鄢细根;张斌 | 申请（专利权）人： | 凯茂半导体（厦门）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国（福建）自*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应用于 sbd 新型 分压环 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于SBD的新型分压环结构，包括：背面金属层；其特征在于，所述应用于SBD的新型分压环结构还包括：位于所述背面金属层上的第一导电类型衬底；位于所述第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层；位于所述第一导电类型外延层上的场氧层；位于所述第一导电类型外延层内的第一浓度的第二导电类型深分压环；位于所述第一浓度的第二导电类型的深分压环内的第二浓度的第二导电类型浅分压环；位于所述第一导电类型外延层内的且位于所述第一浓度的第二导电类型深分压环围成的环形空间内的势垒层；位于所述场氧层和所述势垒层上的正面金属层。
2.根据权利要求1所述的应用于SBD的新型分压环结构，其特征在于，
所述第一导电类型为N型；所述第二导电类型为P型。
3.根据权利要求2所述的应用于SBD的新型分压环结构，其特征在于，
所述第一浓度的第二导电类型深分压环为P-深分压环；所述第二浓度的第二导电类型浅分压环为P+浅分压环。
4.根据权利要求3所述的应用于SBD的新型分压环结构，其特征在于，
所述第一导电类型衬底为N+衬底；所述第一导电类型外延层为N-外延层。
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