[实用新型]一种平板探测器

说明书

本实用新型公开了一种平板探测器。该平板探测器包括：衬底基板；第一平坦层，设置在所述衬底基板的一侧，所述第一平坦层的背离所述衬底基板的一侧开设有凹槽；第一电极层，设置在所述第一平坦层的背离所述衬底基板的一侧，所述第一电极层覆盖所述凹槽，在所述凹槽内，所述第一电极层的背离所述衬底基板一侧的表面具有反光性；以及，光电二极管，设置在所述第一电极层的背离所述衬底基板的一侧且位于所述凹槽内。该平板探测器，当入射光线照射到凹槽内的第一电极层的表面时，第一电极层可以将入射光线反射进光电二极管中，增强光电二极管对入射光线的吸收率，提高光电二极管的光电转化效率，提高平板探测器的探测灵敏度。

技术领域

本实用新型涉及探测技术领域，具体涉及一种平板探测器。

背景技术

近年来，平板探测技术取得了飞跃性的发展。平板探测技术可以分为直接型和间接型。间接型平板探测技术的关键部件是用来获取图像的平板探测器(FPD)。平板探测器包括阵列基板，阵列基板包括X射线转换层。阵列基板包括多个阵列排布的检测单元。每个检测单元包括薄膜晶体管和非晶硅光电二极管。非晶硅光电二极管在反向电压作用下工作。当X射线照射阵列基板时，X射线转换层将X射线转化为可见光，非晶硅光电二极管将可见光转化为电信号，并进行存储，在驱动电路的作用下，薄膜晶体管被逐行开启，光电二极管所转换的电荷被传输到数据处理电路，数据处理电路会对电信号作进一步的放大、模/数转换等处理，最终获得图像信息。

经本申请发明人研究发现，现有的平板探测器经过长时间工作后，其光电转化效率下降。另外，对于铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)型薄膜晶体管的平板探测器，会出现薄膜晶体管特性漂移，降低了薄膜晶体管的信赖性。

发明内容

本实用新型实施例的目的是，提供一种平板探测器，以解决平板探测器光电转化效率低的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型实施例提供了一种平板探测器，包括：

衬底基板；

第一平坦层，设置在所述衬底基板的一侧，所述第一平坦层的背离所述衬底基板的一侧开设有凹槽；

第一电极层，设置在所述第一平坦层的背离所述衬底基板的一侧，所述第一电极层覆盖所述凹槽，在所述凹槽内，所述第一电极层的背离所述衬底基板一侧的表面具有反光性；以及，

光电二极管，设置在所述第一电极层的背离所述衬底基板的一侧，所述光电二极管位于所述凹槽内。

在一个示例性实施例中，所述第一电极层的材质包括铝和钛中的至少一种。

在一个示例性实施例中，所述衬底基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的有源层的材质包括铟镓锌氧化物，

所述第一电极层的材质包括钛，或者，所述第一电极层包括叠层设置的第一子膜层和第二子膜层，所述第一子膜层位于所述第一平坦层和所述第二子膜层之间，所述第一子膜层的材质包括钛和铝中的一种，所述第二子膜层的材质包括钛和铝中的另一种。

在一个示例性实施例中，所述第一平坦层的厚度为3μm～5μm，所述凹槽的底边与所述第一平坦层朝向所述衬底基板的一侧的距离为1.5μm～2.5μm，所述厚度为在垂直于所述衬底基板方向上的尺寸。

在一个示例性实施例中，所述凹槽的侧壁与底壁之间的敞口角度大于或等于90°

在一个示例性实施例中，所述光电二极管在所述衬底基板上的正投影位于所述凹槽底面在所述衬底基板上的正投影范围内。

在一个示例性实施例中，所述光电二极管为非晶硅光电二极管，所述光电二极管在垂直于所述衬底基板方向上的厚度为2μm～5μm。

在一个示例性实施例中，所述第一电极层通过贯穿所述第一平坦层的过孔与所述衬底基板的薄膜晶体管的源电极或漏电极电连接。