[实用新型]一种平板探测器

权利要求书

1.一种平板探测器，其特征在于，包括：

衬底基板；

第一平坦层，设置在所述衬底基板的一侧，所述第一平坦层的背离所述衬底基板的一侧开设有凹槽；

第一电极层，设置在所述第一平坦层的背离所述衬底基板的一侧，所述第一电极层覆盖所述凹槽，在所述凹槽内，所述第一电极层的背离所述衬底基板一侧的表面具有反光性；以及，

光电二极管，设置在所述第一电极层的背离所述衬底基板的一侧，所述光电二极管位于所述凹槽内。

2.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述第一电极层的材质包括铝和钛中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述衬底基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的有源层的材质包括铟镓锌氧化物，

所述第一电极层的材质包括钛，或者，所述第一电极层包括叠层设置的第一子膜层和第二子膜层，所述第一子膜层位于所述第一平坦层和所述第二子膜层之间，所述第一子膜层的材质包括钛和铝中的一种，所述第二子膜层的材质包括钛和铝中的另一种。

4.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述第一平坦层的厚度为3μm～5μm，所述凹槽的底边与所述第一平坦层朝向所述衬底基板的一侧的距离为1.5μm～2.5μm，所述厚度为在垂直于所述衬底基板方向上的尺寸。

5.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述凹槽的侧壁与底壁之间的敞口角度大于或等于90°。

6.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述光电二极管在所述衬底基板上的正投影位于所述凹槽底面在所述衬底基板上的正投影范围内。

7.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述光电二极管为非晶硅光电二极管，所述光电二极管在垂直于所述衬底基板方向上的厚度为2μm～5μm。

8.根据权利要求1～7中任意一项所述的平板探测器，其特征在于，所述第一电极层通过贯穿所述第一平坦层的过孔与所述衬底基板的薄膜晶体管的源电极或漏电极电连接。

9.根据权利要求8所述的平板探测器，其特征在于，所述第一电极层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影。

10.根据权利要求8所述的平板探测器，其特征在于，所述平板探测器还包括设置在所述第一平坦层和所述第一电极层之间的第二绝缘层，所述第二绝缘层开设有用于暴露薄膜晶体管的源电极或漏电极的过孔。

11.根据权利要求8所述的平板探测器，其特征在于，所述平板探测器还包括位于所述光电二极管的背离所述衬底基板一侧的表面上的第二电极层，所述平板探测器还包括依次设置在所述第二电极层的背离所述衬底基板一侧的第二平坦层和金属搭接层，所述金属搭接层通过贯穿第二平坦层的过孔与第二电极层电连接，所述平板探测器还包括设置在所述金属搭接层的背离所述衬底基板一侧的X射线转换层，所述X射线转换层被配置为将照射到所述X射线转换层上的X射线转换为可见光。