[实用新型]多次外延超结器件结构

权利要求书

1.一种多次外延超结器件结构，其特征是：在漏极金属（12）的上表面设有第一导电类型硅衬底（1），在第一导电类型硅衬底（1）的上表面设有第一导电类型外延层（2），在第一导电类型外延层（2）内设有互相间隔的第一导电类型柱（4）与第二导电类型柱（3），在第二导电类型柱（3）的上表面设有第二导电类型体区（5），在第二导电类型体区（5）内设有第一导电类型源区（8）和第二导电类型源区（10），第一导电类型源区（8）位于第二导电类型源区（10）的上方，在第一导电类型外延层（2）的上表面设有栅氧层（6），在栅氧层（6）的上表面设有导电多晶硅（7），在导电多晶硅（7）的上表面设有绝缘介质（9），在绝缘介质（9）的上表面设有源极金属（11），所述源极金属（11）通过连接柱与第一导电类型源区（8）和第二导电类型源区（10）欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的多次外延超结器件结构，其特征是：所述第一导电类型硅衬底（1）、第一导电类型外延层（2）、第一导电类型柱（4）与第一导电类型源区（8）为N型导电，第二导电类型柱（3）、第二导电类型体区（5）与第二导电类型源区（10）为P型导电。

3.根据权利要求1所述的多次外延超结器件结构，其特征是：所述第一导电类型硅衬底（1）、第一导电类型外延层（2）、第一导电类型柱（4）与第一导电类型源区（8）为P型导电，第二导电类型柱（3）、第二导电类型体区（5）与第二导电类型源区（10）为N型导电。

4.根据权利要求1所述的多次外延超结器件结构，其特征是：所述第二导电类型柱（3）为直柱状结构且外表面光滑，第二导电类型柱（3）的宽度为1.5 ~4微米。