[实用新型]一种干法去胶机顶针升降装置有效
申请号: | 202020062537.1 | 申请日: | 2020-01-13 |
公开(公告)号: | CN212161784U | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 廖海涛;孙文彬 | 申请(专利权)人: | 无锡市邑勉微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 常州唯思百得知识产权代理事务所(普通合伙) 32325 | 代理人: | 金辉 |
地址: | 214000 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 干法去胶机 顶针 升降 装置 | ||
本实用新型涉及一种干法去胶机顶针升降装置,包括安装座,安装座设有气缸,气缸连接有升降波纹装置,升降波纹装置连接有联轴器,联轴器固定连接有支撑板,支撑板左侧和支撑板右侧分别连接有顶针。本实用新型结构简单,拆卸、维护方便,设有升降波纹装置能够在真空环境下密封升降,升降波纹装置连接有安装于支撑板下方的联轴器以及连接于安装座的气缸,传递动力时一同运动,防止支撑板和安装座脱开,起过载保护维持平稳的作用本实用新型支撑板设有镜像对称的翼形部,翼形部设置对称的顶针,能够使本实用新型在升降过程中保持平稳。
技术领域
本实用新型涉及去胶机技术领域,尤其涉及一种干法去胶机顶针升降装置。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆。常用的干法去胶方法有等离子去胶、臭氧去胶、紫外光加臭氧去胶等。等离子去胶的原理是利用低压放电,把氧分子电离成激发态的氧原子,然后氧原子和抗蚀剂反应生成挥发性气体,用机械泵抽走,达到去胶目的。臭氧去胶是在大气压下由氧气产生臭氧去胶的。臭氧加紫外线去胶是依靠紫外线光的综合作用,直接破坏抗蚀剂的化学键,臭氧增强了抗蚀剂的反应性。
干法去胶机是利用给干法去胶方法对晶圆进行去胶的一种设备,其依靠氧和抗蚀剂起反应来完成。干法去胶机顶针升降装置是比较关键的零部件,现有的干法去胶机顶针升降装置在使用过程中平稳性较差,容易引起等离子去胶台晃动。
发明内容
本实用新型的目的是克服现有技术的缺陷,提供一种干法去胶机顶针升降装置。
实现本实用新型目的的技术方案是:一种干法去胶机顶针升降装置,包括安装座,所述安装座设有气缸,所述气缸连接有升降波纹装置,所述升降波纹装置连接有联轴器,所述联轴器固定连接有支撑板,所述支撑板左侧和所述支撑板右侧分别连接有顶针。
上述技术方案所述升降波纹装置具有阶梯状外壳,所述阶梯状外壳设有密封升降管轴,所述密封升降管轴密封套接有波纹管,所述密封升降管轴的上升和下降带动所述波纹管的压缩和拉伸,所述密封升降管轴的下方设有顶杆螺纹孔,所述顶杆螺纹孔连接有密封升降顶杆,所述密封升降顶杆延所述阶梯状外壳内部的滑块做升降运动。
上述技术方案所述支撑板左侧的顶针与所述支撑板右侧的顶针镜像对称。
上述技术方案所述支撑板左侧和支撑板右侧分别具有三个顶针。
上述技术方案所述支撑板左侧和所述支撑板右侧的3个顶针排列成等腰三角形。
上述技术方案所述等腰三角形的顶角为锐角。
上述技术方案所述支撑板包括左侧和右侧的互为镜像对称的翼形部,所述顶针连接于所述翼形部。
上述技术方案两个所述翼形部开设有相向开口的U形槽。
上述技术方案所述顶针连接于所述翼形部并沿所述U形槽的外侧分布。
采用上述技术方案后,本实用新型具有以下积极的效果:
(1)本实用新型结构简单,拆卸、维护方便,设有升降波纹装置能够在真空环境下密封升降,升降波纹装置连接有安装于支撑板下方的联轴器以及连接于安装座的气缸,传递动力时一同运动,防止支撑板和安装座脱开,起过载保护维持平稳的作用。
(2)本实用新型支撑板设有镜像对称的翼形部,翼形部设置对称的顶针,能够使本实用新型在升降过程中保持平稳。
(3)本实用新型顶针连接于所述翼形部并沿所述U形槽的外侧分布,在保证顶针的牢固性的同时,最大化的减轻支撑板的重量,有助于减少气缸工作压力,降低支撑板材料的制作成本。
附图说明
为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本实用新型作进一步详细的说明,其中
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造