[实用新型]一种热处理退火炉的密封结构有效
申请号: | 202020021078.2 | 申请日: | 2020-01-07 |
公开(公告)号: | CN210866132U | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 颜志铨 | 申请(专利权)人: | 苏州长吉机械有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F16J15/02;F27D1/00 |
代理公司: | 无锡市朗高知识产权代理有限公司 32262 | 代理人: | 贾传美 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 热处理 退火炉 密封 结构 | ||
本实用新型属于退火炉密封技术领域,尤其为一种热处理退火炉的密封结构,包括退火炉主体,所述退火炉主体的一侧设置有安装架,且安装架的一侧设置有第一密封板,所述安装架一侧的内部设置有滑槽,所述第一密封板的一侧设置有与滑槽相互配合的滑块,所述安装架的底部安装有双轴电机。本实用新型通过设置第一密封板与退火炉主体相配合,完成一级密封,设置的第二密封板在复位弹簧的作用下,卡板与退火炉主体的内壁相互贴合,完成二级密封,大大提高了密封的效果,双轴电机带动第一密封板进项上升与下降,设置的伺服电机带动螺柱进行旋转,在螺柱与第二密封板相互配合的作用下带动第二密封板左右运动,大大简化了操作步骤。
技术领域
本实用新型涉及退火炉密封技术领域,具体为一种热处理退火炉的密封结构。
背景技术
退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺,其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能,热处理是针对不同的效果而设计的,可以加热晶片以激活掺杂剂,将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面,使致密沉积的薄膜,改变生长的薄膜的状态,修复注入的损伤,移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底,但是现如今的退火炉的密封结构。
存在以下问题:
1、不能够对退火炉进行良好的密封,导致热量损失较快。
2、不方便退火炉的人工操作,导致其使用范围大大缩小。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种热处理退火炉的密封结构,解决了不能够对退火炉进行良好的密封,导致热量损失较快与不方便退火炉的人工操作,导致其使用范围大大缩小的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种热处理退火炉的密封结构,包括退火炉主体,所述退火炉主体的一侧设置有安装架,且安装架的一侧设置有第一密封板,所述安装架一侧的内部设置有滑槽,所述第一密封板的一侧设置有与滑槽相互配合的滑块,所述安装架的底部安装有双轴电机,且双轴电机的输出端固定有收卷轮,所述第一密封板一侧的中间位置处通过固定架安装有伺服电机,且第一密封板的内部设置有第二密封板,所述伺服电机的输出端固定有贯穿至第二密封板内部的螺柱,且第二密封板的内部设置有空腔,且空腔内部的底端固定有复位弹簧,所述复位弹簧的末端固定有滑柱,且滑柱的一侧设置有卡板。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述收卷轮的数目为两组,两组所述收卷轮的外侧结缠绕有拉绳,且拉绳的末端与第一密封板固定连接。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述卡板的数目为四组,四组所述卡板首端的横截面为半圆形,且卡板的外侧均匀粘连有羊毛毡。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述第二密封板内部的中间位置处设置有通孔,且通孔通过螺纹与螺柱转动连接。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述空腔的两侧皆设置有限位槽,所述滑柱的两侧皆固定有与限位槽相互配合的限位块。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述退火炉主体内部的底端均匀转动连接有辊轮。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述滑槽内部的底端设置有减震垫,所述退火炉主体与第一密封板紧密贴合。
与现有技术相比,本实用新型提供了一种热处理退火炉的密封结构,具备以下有益效果:
1、该种热处理退火炉的密封结构,通过设置第一密封板与退火炉主体相配合,完成一级密封,设置的第二密封板在复位弹簧的作用下,卡板与退火炉主体的内壁相互贴合,完成二级密封,大大提高了密封的效果。
2、该种热处理退火炉的密封结构,通过设置双轴电机带动第一密封板进项上升与下降,设置的伺服电机带动螺柱进行旋转,在螺柱与第二密封板相互配合的作用下带动第二密封板左右运动,大大简化了操作步骤,方便工人操作。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造