[实用新型]一种切割效率高的半导体晶圆片切割装置

说明书

本实用新型公开了一种切割效率高的半导体晶圆片切割装置，涉及到半导体晶圆片切割技术领域。包括支撑台，所述支撑台的顶端设置有开口，所述开口的底端设置有出料板，所述开口的一侧设置有支撑板一和支撑板二，所述支撑板一和支撑板二的表面设置有螺旋杆，所述开口的另一侧设置有支撑板三和支撑板四，所述支撑板三和支撑板四的表面设置有光滑杆，所述光滑杆的表面设置有移动挡板。有益效果：利用电机带动螺旋棒旋转，并且通过移动挡板对晶圆棒的长度进行固定，然后再对晶圆棒进行切割使晶圆片的切割更加精确，使晶圆片的切割厚度更加精准，提高了晶圆片的生产效率，减少了晶圆片的生产成本。

技术领域

本实用新型涉及半导体晶圆片切割技术领域，具体来说，涉及一种切割效率高的半导体晶圆片切割装置。

背景技术

晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.9％。晶圆制造厂再把此多晶硅融解，再于融液里种入籽晶，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗晶面取向确定的籽晶在熔融态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。硅晶棒再经过切段，滚磨，切片，倒角，抛光，激光刻，包装后，即成为积体电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”。

现有的硅晶片的切割设备无法精确地控制半导体晶圆片的切割长度，实际生产中不能根据生产要求，实时精确调整靖远段的切割长度和切割厚度，造成切割设备利用率较低，切割效率较低。

针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

实用新型内容

针对相关技术中的问题，本实用新型提出一种切割效率高的半导体晶圆片切割装置，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。

本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种切割效率高的半导体晶圆片切割装置，包括支撑台，所述支撑台的顶端设置有开口，所述开口的底端设置有出料板，所述开口的一侧设置有支撑板一和支撑板二，所述支撑板一和支撑板二的表面设置有螺旋杆，所述开口的另一侧设置有支撑板三和支撑板四，所述支撑板三和支撑板四的表面设置有光滑杆，所述光滑杆的表面设置有移动挡板，所述移动挡板的另一端贯穿所述螺旋杆，所述螺旋杆的另一端设置有电机，所述电机的底端设置有支撑墩台。

进一步，所述支撑台的顶端设置有条形凹槽，所述条形凹槽的内部设置有条形晶圆棒，所述条形晶圆棒的顶端设置由压板。

进一步，所述条形凹槽的内部设置有移动挡片，所述移动挡片的底端设置有竖直杆，所述竖直杆贯穿所述支撑台，所述支撑台的端部设置有竖直板，所述竖直板的表面贯穿设置有螺纹杆二，所述螺纹杆二贯穿所述竖直杆，所述螺纹杆二的端部设置有电机二。

进一步，所述支撑台的顶端设置有支撑杆一和支撑杆二，所述支撑杆一和支撑杆二的顶端设置有横撑板，所述横撑板的底端设置有伸缩杆，所述伸缩杆的底端设置有切割刀片。