[发明专利]倒置发光器件及其制备方法、显示装置以及固态照明装置

说明书

本发明公开一种倒置发光器件及其制备方法、显示装置以及固态照明装置，所述倒置发光器件包括依次设置的阴极、电子传输层和发光层，所述电子传输层包括呈层叠设置的第一结构层和第二结构层，所述第一结构层靠近所述阴极设置，所述第二结构层靠近所述发光层设置，其中，所述第一结构层的材质包括第一电子传输材料，所述第二结构层的材质包括第二电子传输材料和半导体二维材料，所述半导体二维材料与所述第二电子传输材料的能带交互匹配且负载于所述第二电子传输材料的表面。本发明提供的新型电子传输层结构改善了器件载流子不平衡的问题，提升了器件的稳定性和寿命。

技术领域

本发明涉及显示装置技术领域，特别涉及发光器件技术领域，具体涉及一种倒置发光器件及其制备方法、显示装置以及固态照明装置。

背景技术

发光器件一般包括正置器件和倒置器件，其中倒置器件仅需要在ITO(氧化铟锡)阴极上制备电子传输层和发光层，其他空穴传输层、空穴注入层及阳极层等均可以采用较为成熟的蒸镀条件制备，如此，使得倒置器件的制备工艺更为简便，极具商业化前景。但是，传统倒置发光器件的电子传输层由于电子传输材料存在一些缺陷，使得载流子容易被缺陷俘获，影响器件的载流子传输，导致载流子注入不平衡，过量的空穴或电子会对载流子传输造成副反应，影响器件的稳定性和寿命。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种倒置发光器件及其制备方法、显示装置以及固态照明装置，旨在改善发光器件中载流子不平衡的问题，以提高器件的稳定性和寿命。

为实现上述目的，本发明提出一种倒置发光器件，包括依次设置的阴极、电子传输层和发光层，所述电子传输层包括呈层叠设置的第一结构层和第二结构层，所述第一结构层靠近所述阴极设置，所述第二结构层靠近所述发光层设置，其中，所述第一结构层的材质包括第一电子传输材料，所述第二结构层的材质包括第二电子传输材料和半导体二维材料，所述半导体二维材料与所述第二电子传输材料的能带交互匹配且负载于所述第二电子传输材料的表面。

可选地，所述第一电子传输材料包括氧化钛，所述第二电子传输材料包括氧化锌；和/或，

所述半导体二维材料包括氮化碳、氮化硼、碳化钼和黑磷中的任意一种；和/或，

可选地，所述氧化钛为去顶八面体晶相的氧化钛颗粒，所述氧化锌为长径比1000～3000的氧化锌纳米棒；和/或，

所述半导体二维材料包括氮化碳。

可选地，所述半导体二维材料的质量为所述第二电子传输材料质量的5～10％；和/或，

所述第一结构层的厚度为5～10nm；和/或，

所述第一结构层和第二结构层的总厚度为30～150nm。

可选地，所述倒置发光器件为量子点发光二极管。

本发明还提出一种倒置发光器件的制备方法，包括以下步骤：

将第一电子传输材料制备成为薄膜，形成第一结构层；

在所述第一结构层上设置第二电子传输材料，并在所述第二电子传输材料上负载使半导体二维材料，形成与所述第一结构层层叠设置的第二结构层，制得电子传输层。

可选地，在所述第一结构层上设置第二电子传输材料，并在所述第二电子传输材料上负载使半导体二维材料，形成与所述第一结构层层叠设置的第二结构层，制得电子传输层的步骤包括：

通过电化学反应，在所述第一结构层上制备长径比为1000～3000nm氧化锌纳米棒；

利用热缩聚的方式，在所述氧化锌纳米棒上沉积半导体二维材料，形成与所述第一结构层层叠设置的第二结构层，制得电子传输层。