[发明专利]倒置发光器件及其制备方法、显示装置以及固态照明装置

权利要求书

1.一种倒置发光器件，其特征在于，包括依次设置的阴极、电子传输层和发光层，所述电子传输层包括呈层叠设置的第一结构层和第二结构层，所述第一结构层靠近所述阴极设置，所述第二结构层靠近所述发光层设置，其中，所述第一结构层的材质包括第一电子传输材料，所述第二结构层的材质包括第二电子传输材料和半导体二维材料，所述半导体二维材料与所述第二电子传输材料的能带交互匹配且负载于所述第二电子传输材料的表面。

2.如权利要求1所述的倒置发光器件，其特征在于，所述第一电子传输材料包括氧化钛，所述第二电子传输材料包括氧化锌；和/或，

所述半导体二维材料包括氮化碳、氮化硼、碳化钼和黑磷中的任意一种。

3.如权利要求2所述的倒置发光器件，其特征在于，所述氧化钛为去顶八面体晶相的氧化钛颗粒，所述氧化锌为长径比1000～3000的氧化锌纳米棒；和/或，

所述半导体二维材料包括氮化碳。

4.如权利要求1所述的倒置发光器件，其特征在于，所述半导体二维材料的质量为所述第二电子传输材料质量的5～10％；和/或，

所述第一结构层的厚度为5～10nm；和/或，

所述第一结构层和第二结构层的总厚度为30～150nm。

5.如权利要求1所述的倒置发光器件，其特征在于，所述倒置发光器件为量子点发光二极管。

6.一种倒置发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将第一电子传输材料制备成为薄膜，形成第一结构层；

在所述第一结构层上设置第二电子传输材料，并在所述第二电子传输材料上负载使半导体二维材料，形成与所述第一结构层层叠设置的第二结构层，制得电子传输层。

7.如权利要求6所述的倒置发光器件的制备方法，其特征在于，在所述第一结构层上设置第二电子传输材料，并在所述第二电子传输材料上负载使半导体二维材料，形成与所述第一结构层层叠设置的第二结构层，制得电子传输层的步骤包括：

通过电化学反应，在所述第一结构层上制备长径比为1000～3000nm氧化锌纳米棒；

利用热缩聚的方式，在所述氧化锌纳米棒上沉积半导体二维材料，形成与所述第一结构层层叠设置的第二结构层，制得电子传输层。

8.如权利要求7所述的倒置发光器件的制备方法，其特征在于，利用热缩聚的方式，在所述氧化锌纳米棒上沉积半导体二维材料，形成与所述第一结构层层叠设置的第二结构层，制得电子传输层的步骤，包括：

所述热缩聚的升温速率为4～6℃，缩聚反应温度为500～600℃、反应时间为20～40min。

9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至5任意一项所述的倒置发光器件或由如权利要求6至8任意一项所述的方法制得的倒置发光器件。

10.一种固态照明装置，其特征在于，所述固态照明装置包括如权利要求1至5任意一项所述的倒置发光器件或由如权利要求6至8任意一项所述的方法制得的倒置发光器件。