[发明专利]碳化硅蚀刻工装在审
申请号: | 202011644791.3 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN112864062A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 林艺鸿;张洁;蔡少忠 | 申请(专利权)人: | 湖南三安半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 严诚 |
地址: | 410000 湖南省长沙市高新开发*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 碳化硅 蚀刻 工装 | ||
本发明公开了一种碳化硅蚀刻工装,涉及碳化硅蚀刻技术领域。该碳化硅蚀刻工装包括支撑杆及多个托架。支撑杆竖直设置,且支撑杆的侧面开设有多个第一连接缺口。多个托架均呈水平设置,且均用于承接碳化硅衬底,多个托架一一可拆卸地卡持于多个第一连接缺口内。该碳化硅蚀刻工装能够同时蚀刻多个碳化硅衬底,具有蚀刻效率较高,且蚀刻灵活性较高的特点。
技术领域
本发明涉及碳化硅蚀刻技术领域,具体而言,涉及一种碳化硅蚀刻工装。
背景技术
碳化硅(SiC)的加工生产过程中,其碳化硅衬底的质量较为重要,其直接影响到研磨抛光的合格率,乃至影响到芯片端的合格率。目前检验碳化硅衬底质量的方法需要将碳化硅衬底置于高温的KOH溶液里进行蚀刻。但是,现有的蚀刻治具单次仅能蚀刻一片碳化硅衬底,导致蚀刻效率较低。
有鉴于此,研发设计出一种能够解决上述技术问题的碳化硅蚀刻工装显得尤为重要。
发明内容
本发明的目的在于提供一种碳化硅蚀刻工装,其能够同时蚀刻多个碳化硅衬底,具有蚀刻效率较高,且蚀刻灵活性较高的特点。
本发明提供一种技术方案:
第一方面,本发明实施例提供了一种碳化硅蚀刻工装,包括支撑杆及多个托架;
所述支撑杆竖直设置,且所述支撑杆的侧面开设有多个第一连接缺口;
多个所述托架均呈水平设置,且均用于承接碳化硅衬底,多个所述托架一一可拆卸地卡持于多个所述第一连接缺口内。
结合第一方面,在第一方面的第一种实现方式中,所述托架的顶部和/或底部开设有第二连接缺口,所述托架卡持于所述第一连接缺口内时,所述第一连接缺口的部分内壁卡持于所述第二连接缺口内。
结合第一方面及其上述实现方式,在第一方面的第二种实现方式中,多个所述第一连接缺口分别开设于所述支撑杆上相背的两个侧面上。
结合第一方面及其上述实现方式,在第一方面的第三种实现方式中,所述支撑杆的数量为两根,两根所述支撑杆间隔排列设置,且两根所述支撑杆上均开设有所述第一连接缺口,所述托架同时可拆卸地卡持于两根所述支撑杆上所述第一连接缺口内。
结合第一方面及其上述实现方式,在第一方面的第四种实现方式中,所述托架包括相互连接的连接管和承载杆,所述承载杆用于承载所述碳化硅衬底,所述连接管为矩管,且所述第一连接缺口与所述连接管匹配。
结合第一方面及其上述实现方式,在第一方面的第五种实现方式中,所述连接管包括依次连接的第一连接段、第二连接段及第三连接段,所述第一连接段、所述第二连接段及所述第三连接段共同呈凵字型设置,所述第二连接段用于可拆卸地卡持于所述第一连接缺口内;所述承载杆的两端分别连接于所述第一连接段的底部和所述第三连接段的底部。
结合第一方面及其上述实现方式,在第一方面的第六种实现方式中,所述碳化硅蚀刻工装还包括具有开口的固定环,所述固定环连接于所述第一连接段和所述第三连接段,并具有弹性;
所述固定环的末端以及所述固定环的中部均用于与所述碳化硅衬底的边缘抵持,以共同固定所述碳化硅衬底于所述托架上。
结合第一方面及其上述实现方式,在第一方面的第七种实现方式中,所述第一连接段和所述第二连接段上相对应的两个侧面上均开设有连接孔,所述连接孔为沿水平方向延伸的条孔;
所述固定环上部分位置可活动地伸入所述连接孔内,以与所述第一连接段和所述第三连接段连接。
结合第一方面及其上述实现方式,在第一方面的第八种实现方式中,所述固定环的两端上均设有固定柱,所述固定柱竖直设置,且所述固定柱的侧面开设有固定缺口,所述固定缺口的底壁用于与所述碳化硅衬底的边缘抵持。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南三安半导体有限责任公司,未经湖南三安半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011644791.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种机械臂末端执行装置
- 下一篇:板料支撑装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造