[发明专利]碳化硅蚀刻工装在审
申请号: | 202011644791.3 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN112864062A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 林艺鸿;张洁;蔡少忠 | 申请(专利权)人: | 湖南三安半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 严诚 |
地址: | 410000 湖南省长沙市高新开发*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碳化硅 蚀刻 工装 | ||
1.一种碳化硅蚀刻工装,其特征在于,包括支撑杆(11)及多个托架(12);
所述支撑杆(11)竖直设置,且所述支撑杆(11)的侧面开设有多个第一连接缺口(111);
多个所述托架(12)均呈水平设置,且均用于承接碳化硅衬底(900),多个所述托架(12)一一可拆卸地卡持于多个所述第一连接缺口(111)内。
2.根据权利要求1所述的碳化硅蚀刻工装,其特征在于,所述托架(12)的顶部和/或底部开设有第二连接缺口(127),所述托架(12)卡持于所述第一连接缺口(111)内时,所述第一连接缺口(111)的部分内壁卡持于所述第二连接缺口(127)内。
3.根据权利要求1所述的碳化硅蚀刻工装,其特征在于,多个所述第一连接缺口(111)分别开设于所述支撑杆(11)上相背的两个侧面上。
4.根据权利要求1所述的碳化硅蚀刻工装,其特征在于,所述支撑杆(11)的数量为两根,两根所述支撑杆(11)间隔排列设置,且两根所述支撑杆(11)上均开设有所述第一连接缺口(111),所述托架(12)同时可拆卸地卡持于两根所述支撑杆(11)上所述第一连接缺口(111)内。
5.根据权利要求1所述的碳化硅蚀刻工装,其特征在于,所述托架(12)包括相互连接的连接管(120)和承载杆(126),所述承载杆(126)用于承载所述碳化硅衬底(900),所述连接管(120)为矩管,且所述第一连接缺口(111)与所述连接管(120)匹配。
6.根据权利要求5所述的碳化硅蚀刻工装,其特征在于,所述连接管(120)包括依次连接的第一连接段(121)、第二连接段(122)及第三连接段(123),所述第一连接段(121)、所述第二连接段(122)及所述第三连接段(123)共同呈凵字型设置,所述第二连接段(122)用于可拆卸地卡持于所述第一连接缺口(111)内;所述承载杆(126)的两端分别连接于所述第一连接段(121)的底部和所述第三连接段(123)的底部。
7.根据权利要求6所述的碳化硅蚀刻工装,其特征在于,所述碳化硅蚀刻工装(10)还包括具有开口的固定环(13),所述固定环(13)连接于所述第一连接段(121)和所述第三连接段(123),并具有弹性;
所述固定环(13)的末端以及所述固定环(13)的中部均用于与所述碳化硅衬底(900)的边缘抵持,以共同固定所述碳化硅衬底(900)于所述托架(12)上。
8.根据权利要求7所述的碳化硅蚀刻工装,其特征在于,所述第一连接段(121)和所述第二连接段(122)上相对应的两个侧面上均开设有连接孔(125),所述连接孔(125)为沿水平方向延伸的条孔;
所述固定环(13)上部分位置可活动地伸入所述连接孔(125)内,以与所述第一连接段(121)和所述第三连接段(123)连接。
9.根据权利要求8所述的碳化硅蚀刻工装,其特征在于,所述固定环(13)的两端上均设有固定柱(131),所述固定柱(131)竖直设置,且所述固定柱(131)的侧面开设有固定缺口,所述固定缺口的底壁用于与所述碳化硅衬底(900)的边缘抵持。
10.根据权利要求9所述的碳化硅蚀刻工装,其特征在于,所述固定环(13)的中部还设置有所述固定柱(131),以通过三个所述固定柱(131)共同固定所述碳化硅衬底(900)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造