[发明专利]一种发光二极管的外延片生长装置在审
申请号: | 202011641892.5 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN112802777A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 祁晓峰;周晔;魏良 | 申请(专利权)人: | 江苏长弘半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L33/00 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 王敏 |
地址: | 213000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 外延 生长 装置 | ||
本发明涉及二极管的技术领域,特别是涉及一种发光二极管的外延片生长装置,其增加装置内部废气的处理效果,增加装置内部清理的效果,提高实用性;包括底板、反应室、进气管、出气管、风机、第一阀门、第二阀门和真空机构,反应室固定安装在底板上,反应室内部设置有腔室,进气管固定安装在反应室上并与腔室连通,新鲜空气经进气管输送至底板腔室内,出气管固定安装在反应室上并与腔室连通,出气管的输出端与风机的输入端连接,风机固定安装在底板上,风机通过出气管将底板腔室内的废气抽出,风机的输出端与废气回收机构连通,第一阀门固定安装在进气管上,第二阀门固定安装在出气管上,真空装置固定安装在底板上并与反应室连通。
技术领域
本发明涉及二极管的技术领域,特别是涉及一种发光二极管的外延片生长装置。
背景技术
二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。它具有单向导电性能,即给二极管阳极和阴极加上正向电压时,二极管导通,在制作LED时,需要先制作出外延片,然后将外延片制作成LED芯片。外延片的制作通常在MOCVD设备中进行。外延片的制作需要负压环境,目前通常是采用真空泵形成负压环境,现有的发光二极管的外延片生长装置外延片制作完成后,需对装置内部进行清理,对内部进行换气,产生的废气未进行收集,同时换气效率较低。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供一种增加装置内部废气的处理效果,增加装置内部清理的效果,提高实用性的一种发光二极管的外延片生长装置。
本发明的一种发光二极管的外延片生长装置,包括底板、反应室、进气管、出气管、风机、第一阀门、第二阀门和真空机构,所述反应室固定安装在底板上,所述反应室内部设置有腔室,所述进气管固定安装在反应室上并与腔室连通,新鲜空气经进气管输送至底板腔室内,所述出气管固定安装在反应室上并与腔室连通,所述出气管的输出端与风机的输入端连接,所述风机固定安装在底板上,所述风机通过出气管将底板腔室内的废气抽出,所述风机的输出端与废气回收机构连通,所述第一阀门固定安装在进气管上,所述第二阀门固定安装在出气管上,所述真空装置固定安装在底板上并与反应室连通,所述真空装置用于反应室腔室内抽真空。
本发明的一种发光二极管的外延片生长装置,真空装置真空泵和真空管,所述真空泵固定安装在底板上,所述真空泵的输入端与真空管的输出端连接,所述真空管的输入端与反应室的输出端连接。
本发明的一种发光二极管的外延片生长装置,还包括第三阀门,所述第三阀门固定安装在真空管上。
本发明的一种发光二极管的外延片生长装置,还包括第一压力表和第二压力表,所述第一压力表固定安装在真空管上,所述第二压力表固定安装在进气管上。
本发明的一种发光二极管的外延片生长装置,还包括铰链和门板,所述铰链安装在反应室上,所述门板通过铰链与反应室转动连接。
本发明的一种发光二极管的外延片生长装置,还包括把手和锁扣,所述把手安装在门板上,所述锁扣安装在把手上。
本发明的一种发光二极管的外延片生长装置,还包括若干组螺栓,若干组所述螺栓安装在反应室上并与底板连接。
本发明的一种发光二极管的外延片生长装置,所述第一阀门、第二阀门和第三阀门均采用单向阀。
与现有技术相比本发明的有益效果为:关闭第一阀门和第二阀门,真空机构对反应室腔室内部抽真空,发光二极管的外延片在反应室腔室内制作,制作完成后,关闭真空机构,打开第一阀门和第二阀门,新鲜空气经进气管进入反应室腔室内部,风机将反应室腔室内部的废气经出气管输送至废气回收机构,增加装置内部废气的处理效果,增加装置内部清理的效果,提高实用性。
附图说明
图1是本发明的结构示意图;
图2是本发明的前视结构示意图;
图3是本发明的左视结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造