[发明专利]一种发光二极管的外延片生长装置在审
| 申请号: | 202011641892.5 | 申请日: | 2020-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN112802777A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
| 发明(设计)人: | 祁晓峰;周晔;魏良 | 申请(专利权)人: | 江苏长弘半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L33/00 |
| 代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 王敏 |
| 地址: | 213000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 发光二极管 外延 生长 装置 | ||
1.一种发光二极管的外延片生长装置,其特征在于,包括底板(1)、反应室(2)、进气管(3)、出气管(4)、风机(5)、第一阀门(6)、第二阀门(7)和真空机构,所述反应室(2)固定安装在底板(1)上,所述反应室(2)内部设置有腔室,所述进气管(3)固定安装在反应室(2)上并与腔室连通,新鲜空气经进气管(3)输送至底板(1)腔室内,所述出气管(4)固定安装在反应室(2)上并与腔室连通,所述出气管(4)的输出端与风机(5)的输入端连接,所述风机(5)固定安装在底板(1)上,所述风机(5)通过出气管(4)将底板(1)腔室内的废气抽出,所述风机(5)的输出端与废气回收机构连通,所述第一阀门(6)固定安装在进气管(3)上,所述第二阀门(7)固定安装在出气管(4)上,所述真空装置固定安装在底板(1)上并与反应室(2)连通,所述真空装置用于反应室(2)腔室内抽真空。
2.如权利要求1所述的一种发光二极管的外延片生长装置,其特征在于,真空装置真空泵(8)和真空管(9),所述真空泵(8)固定安装在底板(1)上,所述真空泵(8)的输入端与真空管(9)的输出端连接,所述真空管(9)的输入端与反应室(2)的输出端连接。
3.如权利要求1所述的一种发光二极管的外延片生长装置,其特征在于,还包括第三阀门(10),所述第三阀门(10)固定安装在真空管(9)上。
4.如权利要求2所述的一种发光二极管的外延片生长装置,其特征在于,还包括第一压力表(11)和第二压力表(12),所述第一压力表(11)固定安装在真空管(9)上,所述第二压力表(12)固定安装在进气管(3)上。
5.如权利要求1所述的一种发光二极管的外延片生长装置,其特征在于,还包括铰链(13)和门板(14),所述铰链(13)安装在反应室(2)上,所述门板(14)通过铰链(13)与反应室(2)转动连接。
6.如权利要求5所述的一种发光二极管的外延片生长装置,其特征在于,还包括把手(15)和锁扣(16),所述把手(15)安装在门板(14)上,所述锁扣(16)安装在把手(15)上。
7.如权利要求1所述的一种发光二极管的外延片生长装置,其特征在于,还包括若干组螺栓(17),若干组所述螺栓(17)安装在反应室(2)上并与底板(1)连接。
8.如权利要求3所述的一种发光二极管的外延片生长装置,其特征在于,所述第一阀门(6)、第二阀门(7)和第三阀门(10)均采用单向阀。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





