[发明专利]一种晶硅片碱抛光装置及抛光工艺有效
申请号: | 202011638639.4 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN112792711B | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 张红利;罗江;李雪芬;王池;李锋清;李杨;袁震芹;虢世恩;毕超群;程力 | 申请(专利权)人: | 武汉风帆电化科技股份有限公司 |
主分类号: | B24B29/02 | 分类号: | B24B29/02;B24B27/00;B24B41/06;B24B47/00;B24B47/12;B24B57/02;H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 武汉红观专利代理事务所(普通合伙) 42247 | 代理人: | 李杰梅 |
地址: | 430000 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 抛光 装置 工艺 | ||
本发明提出了一种晶硅片碱抛光装置及抛光工艺,包括设备主体、抛光模具、固定组件和若干喷嘴,抛光模具能够沿铅垂线方向移动以接触工件上表面,且抛光模具由外源驱动设备驱动并围绕铅垂线做顺时针或逆时针的回转运动,或者以铅垂线为轴线顺时针或逆时针的轴向旋转,以对工件上表面进行抛光,固定组件能够使第一腔体和第三腔体始终保持连通,若干喷嘴固定设置于第一缸盖内周壁上,喷嘴尾端固定连通外源输送机构,当抛光模具对工件上表面进行抛光时,喷嘴向第一腔体和第二腔体内持续输入抛光液;在抛光过程中通过喷嘴持续输入抛光液,使工件上表面始终存在有抛光液,提高了抛光效果,避免抛光模具对工件上表面造成机械损伤。
技术领域
本发明涉及硅片抛光技术领域,尤其涉及一种晶硅片碱抛光装置及抛光工艺。
背景技术
晶硅片是应用于太阳能光伏发电领域中的重要组成部件。
目前,传统的晶硅片抛光工艺通常使用大量的氢氟酸和硝酸,造成的污染严重,处理成本高;且传统酸抛光工艺稳定性差,抛光出来的硅片光电转换效率低。因此,亟待设计一种全新的晶硅片抛光工艺。
同时,传统工艺所使用的抛光设备普遍存在以下问题:
一、晶硅片被抛光模具进行处理的过程中,会产生大量的微细颗粒,存留于晶硅片下表面和平板之间,不仅会造成晶硅片无法保证水平,同时会磨损晶硅片下表面,对晶硅片的整体稳定性造成不良影响;而且抛光液会沉积于嵌槽内,可能会对晶硅片下表面造成刻蚀,产生不良影响。
二、晶硅片极薄,传统工艺中,为了固定晶硅片,会在一承载用的平板上开设若干嵌槽,将晶硅片嵌合于嵌槽内,然而平板表面难以避免会凹凸不平,导致晶硅片无法保证水平的抛光模具接触,造成抛光面不均匀;同时晶硅片会在嵌槽内转动或移动,会对抛光效果造成不良影响;
发明内容
有鉴于此,本发明提出了一种能够使晶硅片抛光更均匀,且晶硅片不易随意转动或移动的晶硅片碱抛光装置及抛光工艺。
本发明的技术方案是这样实现的:本发明提供了一种晶硅片碱抛光装置,包括工件,还包括设备主体、抛光模具、固定组件和若干喷嘴;设备主体包括平台、第一缸体、第二缸体和第一缸盖,平台水平设置;第一缸体固定安装于平台上表面,第一缸体内开设第一腔体,第一缸体顶部和底部敞开且底部贯穿平台;第二缸体固定安装于平台下表面,第二缸体内开设第二腔体,第二缸体底部封闭且顶部连通至第一腔体,第二腔体内盛有抛光液;第一缸盖可开启盖合于第一缸体顶端,第一缸盖内开设第三腔体,第一缸盖顶部封闭且底部连通至第一腔体;抛光模具位于第一腔体和第二腔体内,抛光模具能够沿铅垂线方向移动以接触工件上表面,且抛光模具由外源驱动设备驱动并相对于工件运动,使抛光模具对工件上表面进行抛光;固定组件固定安装于第一腔体内且靠近第三腔体的一端,固定组件用于承载和固定工件,以便抛光模具接触工件上表面进行抛光作业;若干喷嘴固定设置于第一缸盖内周壁上,喷嘴尾端固定连通外源输送机构,当抛光模具对工件上表面进行抛光时,喷嘴向第一腔体和第二腔体内持续输入抛光液。
在以上技术方案的基础上,优选的,固定组件包括平板,平板水平设置且表面设有若干镂空孔以连通第一腔体和第三腔体,平板上表面开设至少两个嵌槽,工件嵌合于嵌槽内,且工件顶部超出嵌槽所在端面。
更进一步优选的,固定组件还包括若干吸盘和通气管,若干吸盘固定设置于嵌槽底部,吸盘用于吸附工件下表面,若干通气管一端穿过平板下表面并一一对应的连通吸盘,若干通气管的另一端一并连通于同一外源抽真空设备。
更进一步优选的,固定组件还包括支架和手柄,嵌槽底部贯通至平板下表面;支架固定连接于平板下表面且位于嵌槽正下方,通气管螺纹连接于支架上,手柄固定连接于底端用于转动通气管以调节吸盘和平板上表面的距离。
更进一步优选的,还包括抽气管,第二缸体侧壁开设有抽气口,抽气管一端同时连通若干通气管,抽气管另一端连通抽气口,抽气口连通外源抽真空设备。
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