[发明专利]一种评判栅极上切断层位置对器件影响的方法

说明书

本发明提供了一种评判栅极上切断层位置对器件影响的方法，包括：获取版图信息，并确定目标图形所在层；将切断层图形分为:与栅极重叠的部分即第一重叠区、与两个第一重叠区接触的部分即切断层连接部，仅与一个第一重叠区接触的部分即切断层端部；将切断层图形上最靠近相邻有源区的侧边沿栅极延伸方向平移至触及相邻有源区，平移扫过的区域上与栅极重叠的部分是第二重叠区；通过判断所述目标器件接触的第一重叠区是否与切断层端部相接触确定目标器件与切断层的相对位置；根据第二重叠区域的高度、切断层图形的尺寸评估对所述目标器件性能的影响。过程简洁，效率高，评判结果可靠，有利于指导器件的工艺设计与生产制造工艺，提高产品的成品率。

技术领域

本发明属于半导体设计和生产领域，具体涉及一种判断栅极上切断层的位置并评估其对器件影响的方法。

背景技术

随着集成电路技术的飞速发展，晶体管的尺寸变得越来越小，当前集成电路设计工艺特征尺寸已经达到10nm、7nm及以下。集成电路更小的特征尺寸意味着对制造误差更小的裕量，制造结果的微小误差都可能导致最终的电路性能下降甚至出现功能错误，这些问题将会随着集成电路的发展在未来变得越来越严重。纳米时代，集成电路制造技术正面临严重挑战。

集成电路在制造过程中经过了氧化、扩散、光刻、外延等步骤，在光刻过程中，采用栅极切断（Poly Cut）技术对条状栅极进行切断，可以提高晶体管的集成度。栅极切断后的多晶硅切断层所在位置会在刻蚀结束后用其他材料填充，由于填充材料与多晶硅的属性不同，填充切断层后会对栅极所在多晶硅施加应力，会影响周围器件的性能，甚至会降低芯片成品率，带来一定的经济损失。因此需要寻找一种方法对器件与其所在栅极上的多晶硅切断层的相对位置进行判断，在工艺开发过程中帮助统计、定位该种风险较高的器件，以便于针对风险做出后续应对措施，保证芯片产品的性能。如果没有这样一种有效的方法来评判栅极上切断层位置对器件影响将对生产工艺的改进、设计的优化非常不利。

发明内容

本发明是基于上述现有技术的全部或部分问题而进行的，目的在于提供一种评判栅极上切断层位置对器件影响的方法，能够判断判断栅极上切断层与器件的相对位置并评估其对器件影响。

在本申请以下叙述中涉及的名词以及相关技术原理所有解释或定义仅是进行示例性而非限定性说明。

本发明提供的一种评判栅极上切断层位置对器件影响的方法，包括：步骤S1.获取版图信息，并确定版图的待识别层即目标图形所在层，包括栅极、多晶硅切断层、有源层；步骤S2.处于目标器件在栅极延伸方向上的一侧或两侧的切断层位于栅极上，任一个切断层图形横跨至少两个栅极，且其中一个为目标器件的栅极；将切断层图形分为:与栅极重叠的部分即第一重叠区、与两个第一重叠区接触的部分即切断层连接部、以及仅与一个第一重叠区接触的部分即切断层端部；将切断层图形上最靠近相邻有源区的侧边沿栅极延伸方向平移至触及相邻有源区，平移扫过的区域上与栅极重叠的部分是第二重叠区；步骤S3.根据所述目标器件与切断层的距离即第二重叠区域沿栅极延伸方向的高度、切断层图形的尺寸评估切断层对所述目标器件性能的影响。

具体的一个情况中，所述步骤S2中，将切断层图形上最靠近相邻有源区的侧边沿栅极延伸方向平移至触及相邻有源区，判断相邻的方法是：所述侧边沿栅极延伸方向往两侧分别延平移一段预设距离的过程中，如触及有源区，则判断所述有源区为该侧的相邻有源区；如没有触及到有源区，则判断该侧没有相邻的有源区。

作为进一步的改进，所述预设距离等于相邻栅极之间中心线的间距。

一个示范性的实施方式中，所述切断层图形的尺寸分为切断层图形在栅极延伸方向上的高度和垂直于栅极延伸方向上的宽度。

其中可选的，切断层图形的在栅极延伸方向上的高度和/或其垂直于栅极延伸方向上的宽度越大，判断切断层对所述目标器件性能的影响越大。