[发明专利]一种评判栅极上切断层位置对器件影响的方法

权利要求书

1.一种评判栅极上切断层位置对器件影响的方法，其特征在于：

步骤S1.获取版图信息，并确定版图的待识别层即目标图形所在层，包括栅极、多晶硅切断层、有源层；

步骤S2.处于目标器件在栅极延伸方向上的一侧或两侧的切断层位于栅极上，任一个切断层图形横跨至少两个栅极，且其中一个为目标器件的栅极；将切断层图形分为:与栅极重叠的部分即第一重叠区、与两个第一重叠区接触的部分即切断层连接部、以及仅与一个第一重叠区接触的部分即切断层端部；将切断层图形上最靠近相邻有源区的侧边沿栅极延伸方向平移至触及相邻有源区，平移扫过的区域上与栅极重叠的部分是第二重叠区；

步骤S3.根据所述目标器件与切断层的距离即第二重叠区域沿栅极延伸方向的高度、切断层图形的尺寸评估切断层对所述目标器件性能的影响；所述切断层图形的尺寸分为切断层图形在栅极延伸方向上的高度和垂直于栅极延伸方向上的宽度；切断层图形的在栅极延伸方向上的高度和/或其垂直于栅极延伸方向上的宽度越大，判断切断层对所述目标器件性能的影响越大；所述第二重叠区域沿栅极延伸方向的高度越小，判定切断层对所述目标器件性能的影响越大。

2.根据权利要求1所述的一种评判栅极上切断层位置对器件影响的方法，其特征在于：所述步骤S2中，将切断层图形上最靠近相邻有源区的侧边沿栅极延伸方向平移至触及相邻有源区，判断相邻的方法是：

所述侧边沿栅极延伸方向往两侧分别延平移一段预设距离的过程中，如触及有源区，则判断所述有源区为该侧的相邻有源区；

如没有触及到有源区，则判断该侧没有相邻的有源区。

3.根据权利要求2所述的一种评判栅极上切断层位置对器件影响的方法，其特征在于：所述预设距离等于相邻栅极之间中心线的间距。

4.根据权利要求1所述的一种评判栅极上切断层位置对器件影响的方法，其特征在于：当切断层图形至少横跨三个栅极时，还包括：通过判断版图中与所述目标器件接触的第一重叠区是否与所述切断层端部相接触确定目标器件与切断层的相对位置。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的一种评判栅极上切断层位置对器件影响的方法，其特征在于：所述目标器件沿栅极延伸方向上的一侧同时存在两个以上切断层图形时，仅评判所述步骤S2中形成的第二重叠区沿栅极延伸方向的高度最小的所述切断层图形对目标器件的影响。

6.根据权利要求1-4任意一项所述的一种评判栅极上切断层位置对器件影响的方法，其特征在于：所述切断层图形两端的切断层端部尺寸相等。

7.根据权利要求1-4任意一项所述的一种评判栅极上切断层位置对器件影响的方法，其特征在于：针对所述第二重叠区域高度、切断层图形的高度和/宽度分别设定阈值，通过与阈值比较来分析切断层对所述目标器件性能的影响大小。