[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

说明书

本申请的实施例公开了一种具有空气间隔件和空气封盖的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括衬底和在该衬底上设置的鳍结构。鳍结构包括第一鳍部分和第二鳍部分。该半导体器件还包括在该第一鳍部分上设置的源极/漏极(S/D)区域、在该S/D区域上设置的接触结构、在该第二鳍部分上设置的栅极结构、在该栅极结构的侧壁和接触结构之间设置的空气间隔件、在该栅极结构上设置的封盖密封件、以及在该栅极结构的顶面和封盖密封件之间设置的空气封盖。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。

背景技术

随着半导体技术的进步，对更高存储容量、更快处理系统、更高性能、和更低成本的需求不断增长。为了满足这些需求，半导体工业继续缩小半导体器件的尺寸，诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，包括平面MOSFET和鳍式场效应晶体管(finFET)。这种按比例缩小已经增加了半导体制造工艺的复杂性。

发明内容

根据本申请的一个实施例，提供了一种半导体器件，包括：衬底；鳍结构，设置在衬底上，其中鳍结构包括第一鳍部分和第二鳍部分；源极/漏极(S/D)区域，设置在第一鳍部分上；接触结构，设置在S/D区域上；栅极结构，设置在第二鳍部分上；空气间隔件，设置在栅极结构的侧壁和接触结构之间；封盖密封件，设置在栅极结构上；以及空气封盖，设置在栅极结构的顶面和封盖密封件之间。

根据本申请的另一个实施例，提供了一种半导体器件，包括：衬底；鳍结构，具有在衬底上设置的第一鳍部分和第二鳍部分；纳米结构的沟道区域，设置在第一鳍部分上；全环栅(GAA)结构，围绕纳米结构的沟道区域；源极/漏极(S/D)区域，设置在第二鳍部分上；层间介电(ILD)层，设置在源极/漏极(S/D)区域上；空气间隔件，设置在栅极结构和ILD层之间；封盖密封件，设置在栅极结构上，其中，封盖密封件的顶面和ILD层的顶面基本上彼此共面；以及空气封盖，设置在栅极结构的顶面和封盖密封件之间。

根据本申请的又一个实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在鳍结构上形成多晶硅结构；在鳍结构上形成外延区域；用栅极结构代替多晶硅结构；在外延区域上形成接触结构；在栅极结构和接触结构之间形成空气间隔件；在空气间隔件上形成间隔密封件；在栅极结构上形成空气封盖；以及在空气封盖和间隔密封件上形成封盖密封件。

本申请的其他实施例提供了半导体器件中的空气间隔件和覆盖结构。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本公开的方面。

图1A示出了根据一些实施例的具有空气间隔件和覆盖结构的半导体器件的等轴视图。

图1B至图1I示出了根据一些实施例的具有空气间隔件和覆盖结构的半导体器件的横截面图。

图2是根据一些实施例的用于制造具有空气间隔件和覆盖结构的半导体器件的方法的流程图。

图3A至图18C示出了根据一些实施例的在其制造工艺的各个阶段的具有空气间隔件和覆盖结构的半导体器件的顶视图和横截面图。

现在将参考附图描述说明性实施例。在附图中，相同的参考标号通常表示相同的、或功能相似的、和/或结构相似的元件。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或实例。以下描述组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例而不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方形成第一部件的工艺可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。如本文中所使用的，在第二部件上形成第一部件的意思是第一部件与第二部件直接接触地形成。另外，本公开可以在各个实例中重复附图标号和/或字母。该重复其本身并未指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。