[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

鳍结构，设置在所述衬底上，其中所述鳍结构包括第一鳍部分和第二鳍部分；

源极/漏极区域，设置在所述第一鳍部分上；

接触结构，设置在所述源极/漏极区域上；

栅极结构，设置在所述第二鳍部分上；

空气间隔件，设置在所述栅极结构的侧壁和所述接触结构之间；

封盖密封件，设置在所述栅极结构上；以及

空气封盖，设置在所述栅极结构的顶面和所述封盖密封件之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述封盖密封件和所述空气间隔件之间设置的间隔密封件。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述封盖密封件和所述空气封盖之间设置的间隔密封件。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括蚀刻停止层(ESL)，设置在所述源极/漏极区域上并且沿着所述接触结构的侧壁，其中所述空气间隔件设置在所述ESL和所述栅极结构的侧壁之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括间隔件，具有设置在所述空气间隔件和所述栅极结构之间的第一间隔件部分和设置在所述源极/漏极区域上的第二间隔件部分。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

通孔结构，设置在所述接触结构上；以及

间隔密封件，设置在所述空气间隔件上，其中，所述间隔密封件的顶面和所述通孔结构的顶面基本上彼此共面。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

覆盖层，设置在所述接触结构上；以及

间隔密封件，设置在所述空气间隔件上，其中，所述间隔密封件的顶面和所述覆盖层的顶面基本上彼此共面。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：间隔密封件，设置在所述栅极结构的侧壁与所述接触结构之间，其中，所述间隔密封件围绕所述空气间隔件。

9.一种半导体器件，包括：

衬底；

鳍结构，具有在所述衬底上设置的第一鳍部分和第二鳍部分；

纳米结构的沟道区域，设置在所述第一鳍部分上；

全环栅(GAA)结构，围绕所述纳米结构的沟道区域；

源极/漏极(S/D)区域，设置在所述第二鳍部分上；

层间介电层，设置在所述源极/漏极(S/D)区域上；

空气间隔件，设置在所述栅极结构和所述层间介电层之间；

封盖密封件，设置在所述栅极结构上，其中，所述封盖密封件的顶面和所述层间介电层的顶面基本上彼此共面；以及

空气封盖，设置在所述栅极结构的顶面和所述封盖密封件之间。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

在鳍结构上形成多晶硅结构；

在所述鳍结构上形成外延区域；

用栅极结构代替所述多晶硅结构；

在所述外延区域上形成接触结构；

在所述栅极结构和所述接触结构之间形成空气间隔件；

在所述空气间隔件上形成间隔密封件；

在所述栅极结构上形成空气封盖；以及

在所述空气封盖和所述间隔密封件上形成封盖密封件。