[发明专利]高频器件用玻璃基板和高频器件用电路基板

说明书

本发明的玻璃基板(2)，以氧化物基准的摩尔百分率计，在0.001～5％的范围内含有碱金属氧化物，并且碱金属氧化物中由Na₂O/(Na₂O+K₂O)表示的摩尔比为0.01～0.99的范围，且在合计含量1～40％的范围内含有Al₂O₃和B₂O₃，并且由Al₂O₃/(Al₂O₃+B₂O₃)表示的摩尔比为0～0.45的范围，以SiO₂为主成分。玻璃基板(2)的至少一个主表面的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra的值计为1.5nm以下且35GHz下的介电损耗角正切为0.007以下。

本申请是申请号为201780056271.0、申请日为2017年8月30日、发明名称为“高频器件用玻璃基板和高频器件用电路基板”的发明申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及高频器件用玻璃基板和高频器件用电路基板。

背景技术

在移动电话、智能手机、便携信息终端、Wi-Fi设备这样的通信设备、弹性表面波(SAW)器件、雷达零件、天线零件等电子器件中，为了实现通信容量的大容量化、通信速度的高速化等，正推进信号频率的高频化。这样的高频用途的电子设备中使用的电路基板一般使用树脂基板、陶瓷基板、玻璃基板等绝缘基板。对于高频器件中使用的绝缘基板，为了确保高频信号的质量、强度等特性，要求减少基于介电损耗、导体损耗等的传输损耗。

这些绝缘基板中，树脂基板从其特性考虑刚性低。因此，在半导体封装制品需要刚性(强度)的情况下，难以应用树脂基板。陶瓷基板难以提高表面的平滑性，由此具有由形成于基板表面的导体引起的导体损耗容易变大这样的难点。另一方面，玻璃基板由于刚性高，因此具有如下特征：容易实现封装的小型化、薄型化等，表面平滑性也优异，另外，作为基板本身容易大型化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-077769号公报

专利文献2：日本特开2004-244271号公报

发明内容

然而，以往的无碱玻璃基板虽然在20GHz左右以下对减少介电损耗和基于该介电损耗的传输损耗显示效果，但在20GHz以上、例如超过30GHz这样的区域，对介电损耗的减少有限。因此，使用以往的无碱玻璃基板的电路基板变得难以维持超过30GHz这样的高频信号的质量、强度等特性。另一方面，石英玻璃基板即使在超过30GHz的区域中也能够维持低介电损耗，但由于热膨胀系数过小，因此，有在构成电子器件时与其它构件的热膨胀系数差变得过大这样的缺点。这成为使电子器件的实用性降低的因素。

本发明的目的在于提供能够减少高频信号的介电损耗且能够提供实用的电子器件的高频器件用玻璃基板以及使用该高频器件用玻璃基板的能够减少高频信号的传输损耗的高频器件用电路基板。

本发明的第一方式的高频器件用玻璃基板是以SiO₂为主成分的玻璃基板，以氧化物基准的摩尔百分率计，在0.001～5％的范围内含有碱金属氧化物，并且所述碱金属氧化物中由Na₂O/(Na₂O+K₂O)所示的摩尔比为0.01～0.99的范围，另外在合计含量1～40％的范围内含有Al₂O₃和B₂O₃并且由Al₂O₃/(Al₂O₃+B₂O₃)表示的摩尔比为0～0.45的范围，所述玻璃基板的至少一个主表面的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra的值计为1.5nm以下且35GHz下的介电损耗角正切为0.007以下。