[发明专利]高频器件用玻璃基板和高频器件用电路基板

权利要求书

1.一种高频器件用玻璃基板，以氧化物基准的摩尔百分率计，含有：

SiO₂ 40～75％

Al₂O₃ 0～15％

B₂O₃ 13～23％

MgO 2.5～11％

CaO 0～13％，

在合计含量0.001～1％的范围内含有碱金属氧化物，

所述玻璃基板的至少一个主表面的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra的值计为1.5nm以下且35GHz下的介电损耗角正切为0.007以下。

2.根据权利要求1所述的玻璃基板，其中，以氧化物基准的摩尔百分率计，由Al₂O₃/(Al₂O₃+B₂O₃)表示的摩尔比为0～0.45的范围。

3.根据权利要求1或2所述的玻璃基板，其中，所述碱金属氧化物中由Na₂O/(Na₂O+K₂O)表示的摩尔比为0.01～0.99的范围。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的玻璃基板，其中，在合计含量24～38％的范围内含有Al₂O₃和B₂O₃。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的玻璃基板，其中，以氧化物基准的摩尔百分率计，以Fe₂O₃换算的Fe的含量为0.012％以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的玻璃基板，其中，β-OH值为0.05～0.6mm^-1的范围。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的玻璃基板，其中，35GHz下的相对介电常数为10以下。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的玻璃基板，其中，50～350℃下的平均热膨胀系数为3～15ppm/℃的范围。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的玻璃基板，其中，杨氏模量为40GPa以上。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的玻璃基板，其中，气孔率为0.1％以下。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的玻璃基板，其中，波长350nm的透射率为50％以上。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的玻璃基板，其中，厚度为0.05～1mm的范围，并且基板面积为225～10000cm²的范围。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的玻璃基板，是非晶质。

14.一种电路基板，用于处理10GHz以上高频信号的高频器件，具备权利要求1～13中任一项所述的玻璃基板和形成于所述玻璃基板的所述主表面上的布线层，

35GHz下的传输损耗为1dB/cm以下。