[发明专利]半导体装置结构

权利要求书

1.一种半导体装置结构，其特征在于包含∶

一硅基底，具有一硅表面；

一晶体管，包含一栅极结构、一第一导通区、一第二导通区、以及位于所述硅表面之下的一通道；以及

一互连结构，延伸到所述晶体管之外且耦接于所述晶体管的第一导通区；

其中所述互连结构被设置在所述硅表面下方且通过一隔离区与所述硅基底隔离。

2.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于另包含∶

另一晶体管以及一信号线，其中所述信号线电连接至所述另一晶体管，其中所述信号线分布在所述硅表面的下方以及与所述互连结构分开。

3.如权利要求2所述的半导体装置结构，其特征在于∶在所述硅表面和所述互连结构的上表面之间的一距离不同于在所述硅表面和所述信号线的上表面之间的一距离。

4.如权利要求2所述的半导体装置结构，其特征在于另包含∶

另一晶体管以及一电源线，其中所述电源线电连接至所述另一晶体管，其中所述电源线分布在所述硅表面的下方以及与所述互连结构分开。

5.如权利要求4所述的半导体装置结构，其特征在于∶所述电源线耦接于一电压源或一接地源。

6.一种半导体装置结构，其特征在于包含∶

一硅基底，具有一硅表面；

一晶体管，包含一栅极结构、一第一导通区、一第二导通区、以及位于所述硅表面之下的一通道；以及

一互连结构，延伸到所述晶体管之外以及耦接于所述晶体管的栅极结构；

其中所述互连结构包含在所述硅表面之上的一上部分，且所述互连结构的上部分的侧壁对齐所述栅极结构的侧壁。

7.如权利要求6所述的半导体装置结构，其特征在于另包含∶

一第一间隔层，覆盖所述栅极结构的第一侧壁且位于所述硅表面上方；以及

一第二间隔层，覆盖所述栅极结构的第二侧壁且位于所述硅表面上方。

8.如权利要求7所述的半导体装置结构，其特征在于∶所述第一间隔层邻接所述互连结构的上部分的侧壁。

9.如权利要求7所述的半导体装置结构，其特征在于另包含∶

一介电层，设置在所述第一间隔层，所述第二间隔层和所述栅极结构下方。

10.如权利要求9所述的半导体装置结构，其特征在于∶所述栅极结构的至少一部分从所述硅表面向下延伸，且所述通道的至少一部分位于所述介电层的底部下方且沿着所述介电层的底部延伸。

11.一种半导体装置结构，其特征在于包含∶

一硅基底，具有一硅表面；

一晶体管，包含一栅极结构、一第一导通区、一第二导通区、以及位于所述硅表面之下的一通道；以及

一互连结构，延伸到所述晶体管之外且通过一桥接触电连接至所述晶体管的第一导通区；

其中所述桥接触的一第一侧壁对齐所述第一导通区的一边缘且所述桥接触的一第二侧壁对齐所述互连结构的一边缘。

12.如权利要求11所述的半导体装置结构，其特征在于∶所述桥接触包含一上部分以及一下部分，其中所述桥接触的上部分邻接所述硅基底且所述桥接触的下部分与所述硅基底分隔开来。

13.如权利要求12所述的半导体装置结构，其特征在于另包含∶

一第一隔离层，至少覆盖所述第一侧壁，所述第二侧壁，以及所述桥接触的下部分的底部。

14.如权利要求13所述的半导体装置结构，其特征在于∶所述第一隔离层另覆盖所述桥接触的下部分的一第三侧壁，且一第二隔离层另覆盖所述桥接触的下部分的一第四侧壁，其中所述下部分的第三侧壁平行于所述下部分的第四侧壁，且所述第二隔离层的宽度不同于所述第一隔离层的宽度。