[发明专利]LED芯片检测方法

说明书

本发明实施例公开了一种LED芯片检测方法，包括：提供一检测基板，所述检测基板包括多个芯片检测位；在每个所述芯片检测位表面形成压电层；在形成所述压电层的检测基板表面形成柔性导电层；将多个LED芯片批量转移至所述检测基板；对所述多个LED芯片表面施加压力以及对所述检测基板施加电压，以对所述LED芯片进行检测。本发明实施例实现了在LED芯片固晶焊线之前对LED芯片的检测，缩短了LED芯片的检测周期，提高了检测效率；当检测出LED芯片出现质量问题时，可以及时修复后再将LED芯片转移至驱动基板，避免LED芯片与驱动基板键合后产生不良品而增加维修成本。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种LED芯片检测方法。

背景技术

Micro-LED比现有的OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)技术亮度更高、发光效率更好、但功耗更低，许多厂家将其视为下一代显示技术而开始积极布局。

Micro-LED需要三原色(红绿蓝三种颜色)LED芯片结合，但是三种颜色的LED芯片制造工艺以及发光参数(驱动电流，热膨胀系数)等差异较大，导致良率不高。现有的针对LED芯片检测的技术方案是将成品通电后，通过探头检测坏点，必须在Micro-LED转移和完成固晶焊线之后才能进行检测，不仅耗费时间长，而且在芯片和驱动基板绑定后再修复较为困难且成本高昂，成功率低。如果在一个模块上出现几个坏点，就需要更换整个显示模块。若坏点较多只能报废，使得产品不良率增加，造成生产成本过高。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种LED芯片检测方法，以在固晶焊线之前实现对LED芯片质量的检测，缩短检索耗时，提高检测效率。

本发明实施例提供一种LED芯片检测方法，包括：

提供一检测基板，所述检测基板包括多个芯片检测位；

在每个所述芯片检测位表面形成压电层；

在形成所述压电层的检测基板表面形成柔性导电层；

将多个LED芯片批量转移至所述检测基板；

对所述多个LED芯片表面施加压力以及对所述检测基板施加电压，以对所述LED芯片进行检测。

进一步的，在每个所述芯片检测位表面形成压电层之前，还包括：

在所述检测基板上除所述芯片检测位之外的表面形成绝缘层。

进一步的，在所述压电层上形成柔性导电层包括：

在所述压电层表面和所述绝缘层表面形成柔性导电层。

进一步的，将多个LED芯片批量转移至所述检测基板之前，还包括：

提供一晶圆片，所述晶圆片包括衬底和多个LED芯片；

将涂覆有弱胶层的蓝膜覆于所述晶圆片上，以使所述多个LED芯片粘附于所述蓝膜上；

通过激光剥离技术将所述多个LED芯片与所述衬底分离。

进一步的，将多个LED芯片批量转移至所述检测基板包括：

拉伸所述蓝膜，以使所述蓝膜上粘附的多个LED芯片的芯片间距达到预设间距；

将拉伸后的所述蓝膜上的多个LED芯片转移至多个芯片检测位中。

进一步的，将拉伸后的所述蓝膜上的多个LED芯片转移至多个芯片检测位中包括：

根据芯片间距误差，将拉伸后的所述蓝膜上的多个LED芯片选择出多个芯片区域，其中，每个芯片区域中LED芯片之间的芯片间距相同；

分别将每个芯片区域的LED芯片转移至对应的芯片检测位中。